Properties of CdTe thin films prepared by hot wall epitaxy

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorBilevych, Ye.O.
dc.contributor.authorBoka, A.I.
dc.contributor.authorDarchuk, L.O.
dc.contributor.authorGumenjuk-Sichevska, J.V.
dc.contributor.authorSizov, F.F.
dc.contributor.authorBoelling, O.
dc.contributor.authorSulkio-Cleff, B.
dc.date.accessioned2017-05-28T19:00:33Z
dc.date.available2017-05-28T19:00:33Z
dc.date.issued2004
dc.description.abstractCdTe thin films were grown on different substrates: BaF₂ (111), polished Si (100), SiO₂, bulk CdTe (110) and HgxCd₁₋xTe layers by hot wall epitaxy (HWE). Chosen temperature parame-ters and technological process of thin film fabrication provided the growth rate of about 0.03 mm/min. The current-voltage characteristics and transmission spectra were measured. X-ray diffrac-tion data (XRD) measurements were carried out as well.uk_UA
dc.identifier.citationProperties of CdTe thin films prepared by hot wall epitaxy / Ye.O. Bilevych, A.I. Boka, L.O. Darchuk, J.V. Gumenjuk-Sichevska, F.F. Sizov, O. Boelling, B. Sulkio-Cleff // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2004. — Т. 7, № 2. — С. 129-132. — Бібліогр.: 15 назв. — англ.uk_UA
dc.identifier.issn1560-8034
dc.identifier.otherPACS: 68.55Ac; 81.15.-z; 73.61.Ga; 78.66.Hf
dc.identifier.urihttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/118156
dc.language.isoenuk_UA
dc.publisherІнститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН Україниuk_UA
dc.relation.ispartofSemiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
dc.statuspublished earlieruk_UA
dc.titleProperties of CdTe thin films prepared by hot wall epitaxyuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Файли

Оригінальний контейнер

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
02-Bilevich.pdf
Розмір:
172.56 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити

Контейнер ліцензії

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
817 B
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Колекція

Semicond. Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2004, № 2