Генезис структур и магнитные упорядочения в соединениях типа ThCr²Si²

dc.contributor.authorГаджиев, Б.Р.
dc.date.accessioned2018-01-18T14:42:27Z
dc.date.available2018-01-18T14:42:27Z
dc.date.issued2000
dc.description.abstractВ рамках феноменологического подхода показано, что в соединениях типа ThCr₂Si₂ пространственная группа симметрии I4/mmm парамагнитной фазы возникает в результате структурного фазового перехода из плотноупакованной прафазы с группой симметрии Im3m. Найдено, что реальные магнитные упорядочения в соединениях типа ThCr₂Si₂ описываются параметрами переходов, принадлежащими одному направлению, соединяющему точки максимальной симметрии в зоне Бриллюэна группы I4/mmm. Показано, что ваpиации модуля волнового вектора являются следствием изменения концентрации допирующего вещества. Получены пространственные зависимости параметра порядка в несоpазмерных фазах для соответствующих классов унивеpсальности.uk_UA
dc.description.abstractIt is shown in a phenomenological approach that the symmetry space group I4/mmm of the paramagnetic phase in compounds of the ThCr₂Si₂ type arises as a result of a structural phase transition from a close-packed paraphase with space group Im3m It is found that the real magnetic orderings in compounds of the ThCr₂Si₂ type is described by transition parameters belonging to a single direction, along the line joining the points of maximum symmetry in the Brillouin zone of the I4/mmm group. It is shown that the variations of the modulus of the wave vector are a consequence of a change in the dopant concentration. The spatial dependence of the order parameter in the incommensurate phases is obtained for the corresponding universality classes.uk_UA
dc.identifier.citationГенезис структур и магнитные упорядочения в соединениях типа ThCr²Si² / Б.Р. Гаджиев // Физика низких температур. — 2003. — Т. 26, № 12. — С. 1182-1190. — Бібліогр.: 17. назв. — рос.uk_UA
dc.identifier.issn0132-6414
dc.identifier.otherPACS: 75.25.+z
dc.identifier.urihttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/129247
dc.language.isoruuk_UA
dc.publisherФізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН Україниuk_UA
dc.relation.ispartofФизика низких температур
dc.statuspublished earlieruk_UA
dc.subjectНизкотемпеpатуpный магнетизмuk_UA
dc.titleГенезис структур и магнитные упорядочения в соединениях типа ThCr²Si²uk_UA
dc.title.alternativeStructure genesis and magnetic orderings in compounds of the ThCr²Si² typeuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Файли

Оригінальний контейнер

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Завантаження...
Ескіз
Назва:
02-Gadjiev.pdf
Розмір:
253.39 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format

Контейнер ліцензії

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Завантаження...
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
817 B
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис: