Исследование эффекта насыщения тока стока полевого транзистора с последовательно соединенными каналами

Abstract

Приведены результаты исследования динамической модуляции канала полевого транзистора с помощью второго последовательно соединенного к истоку полевого транзистора выполняющего функцию двойного затвора за счет управляемого изменения перераспределения напряжения в дополнительном управляющем p-n-переходе.

Наведено результати дослідження динамічної модуляції каналу польового транзистора за допомогою другого послідовно з’єднаного до джерела польового транзистора виконуючого функцію подвійного затвора за рахунок керованої зміни перерозподілу напруги в додатковому керуючому p-n-переході.

The results of the research of dynamic modulation of the field-effect transistor’s channel with a second field-effect transistor series connected to the source of the first one acting as a dual-gate by controlled changes in the voltage distribution in auxiliary control p-n-junction are given.