Деградаційні та відновні процеси у зворотньозміщених фосфідо-галієвих діодах, спричинені швидкими нейтронами реактора

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorДрузенко, Н.В.
dc.contributor.authorКуц, В.І.
dc.contributor.authorМосолаб, О.В.
dc.contributor.authorУшата, Л.В.
dc.contributor.authorГришин, Ю.Г.
dc.contributor.authorТартачник, В.П.
dc.contributor.authorЧирко, Л.І.
dc.contributor.authorОпилат, В.Я.
dc.contributor.authorСмирнов, С.Б.
dc.contributor.authorЛастовецький, В.Ф.
dc.contributor.authorЛитовченко, П.Г.
dc.date.accessioned2011-01-31T10:01:17Z
dc.date.available2011-01-31T10:01:17Z
dc.date.issued2010
dc.description.abstractВивчались пробійні процеси у фосфідо-галієвих світлодіодах. Проведені оцінки величини коефіцієнта ударної іонізації у вихідних зразках. Показано, що опромінення нейтронами спричиняє збільшення зворотнього струму, обумовленого існуванням потенціального бар’єра. Значна кількість мікроплазм свідчить про суттєву неоднорідність досліджуваних p-n-переходів.uk_UA
dc.description.abstractИзучены пробойные процессы в фосфидо-галлиевых светодиодах. Проведены оценки величины коэффициента ударной ионизации в исходных образцах. Показано, что облучение нейтронами влечет за собой увеличение обратного тока, обусловленного существованием потенциального барьера. Значительное количество микроплазм свидетельствует о существенной неоднородности исследуемых p-n-переходов.uk_UA
dc.description.abstractBreakdown processes in phosphide-gallium light-emitting have been studied were studied. The coefficient of collision ionization in initial samples has been estimated. It was shown that neutron irradiation results in increase of the reverse current caused by existence of potential barrier. The significant amount of microplasmas is the manifestation of essential inhomogeneity of p-n junctions studied.uk_UA
dc.identifier.citationДеградаційні та відновні процеси у зворотньозміщених фосфідо-галієвих діодах, спричинені швидкими нейтронами реактора / Н.В. Друзенко, В.І. Куц, О.В. Мосолаб, Л.В. Ушата, Ю.Г. Гришин, В.П. Тартачник, Л.І. Чирко, В.Я. Опилат, С.Б. Смирнов, В.Ф. Ластовецький, П.Г. Литовченко // Вопросы атомной науки и техники. — 2010. — № 1. — С. 112-116. — Бібліогр.: 8 назв. — укр.uk_UA
dc.identifier.issn1562-6016
dc.identifier.udc621.315.592
dc.identifier.urihttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/15664
dc.language.isoukuk_UA
dc.publisherНаціональний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН Україниuk_UA
dc.statuspublished earlieruk_UA
dc.subjectФизика радиационных и ионно-плазменных технологийuk_UA
dc.titleДеградаційні та відновні процеси у зворотньозміщених фосфідо-галієвих діодах, спричинені швидкими нейтронами реактораuk_UA
dc.title.alternativeДеградационные и восстановительные процессы в обратносмещенных фосфидо-галлиевых диодах, вызванные быстрыми нейтронами реактораuk_UA
dc.title.alternativeDegradation and recovery processes in reverse-biased phosphidegallium diodes induced by reactor fast neutronsuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Файли

Оригінальний контейнер

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
19-Druzenko.pdf
Розмір:
332.83 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити

Контейнер ліцензії

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
929 B
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Колекція

Вопросы атомной науки и техники, 2010, № 1