Образование квазикристаллических структур при отжиге микрослойных покрытий (Ti, Cr)-Si
dc.contributor.author | Мовчан, Б.А. | |
dc.contributor.author | Устинов, А.И. | |
dc.contributor.author | Полищук, С.С. | |
dc.contributor.author | Мельниченко, Т.В. | |
dc.date.accessioned | 2016-02-08T12:53:15Z | |
dc.date.available | 2016-02-08T12:53:15Z | |
dc.date.issued | 2003 | |
dc.description.abstract | Изучены структурные изменения в микрослойных покрытиях (Ti,Cr)-Si в процессе изотермических отжигов при температурах 800, 1000 и 1100 °С. Микрослойную структуру получали путем электронно-лучевого испарения двух слитков (Ti-Cr и Si) и конденсации в вакууме несмешивающихся паровых потоков. Показано, что при диффузионном взаимодействии между слоями микрослойная структура покрытия разрушается и образуется структура на основе икосаэдрической (или аппроксимантной к ней) фазы. | uk_UA |
dc.identifier.citation | Образование квазикристаллических структур при отжиге микрослойных покрытий (Ti, Cr)-Si / Б.А. Мовчан, А.И. Устинов, С.С. Полищук, Т.В. Мельниченко // Современная электрометаллургия. — 2003. — № 1. — С. 15-18. — Бібліогр.: 13 назв. — рос. | uk_UA |
dc.identifier.issn | 0233-7681 | |
dc.identifier.uri | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/94056 | |
dc.language.iso | ru | uk_UA |
dc.publisher | Інститут електрозварювання ім. Є.О. Патона НАН України | uk_UA |
dc.relation.ispartof | Современная электрометаллургия | |
dc.status | published earlier | uk_UA |
dc.subject | Электронно-лучевые процессы | uk_UA |
dc.title | Образование квазикристаллических структур при отжиге микрослойных покрытий (Ti, Cr)-Si | uk_UA |
dc.title.alternative | Formation of quasi-crystalline structures in annealing of microlayer coatings (Ti, Cr)-Si | uk_UA |
dc.type | Article | uk_UA |
Файли
Оригінальний контейнер
1 - 1 з 1
Завантаження...
- Назва:
- 04-Movchan.pdf
- Розмір:
- 836.13 KB
- Формат:
- Adobe Portable Document Format
Контейнер ліцензії
1 - 1 з 1
Завантаження...
- Назва:
- license.txt
- Розмір:
- 817 B
- Формат:
- Item-specific license agreed upon to submission
- Опис: