Modification of properties of the glass-Si₃N₄-Si-SiO₂ structure at laser treatment

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorKonakova, R.V.
dc.contributor.authorKladko, V.P.
dc.contributor.authorLytvyn, O.S.
dc.contributor.authorOkhrimenko, O.B.
dc.contributor.authorKonoplev, B.G.
dc.contributor.authorSvetlichnyi, A.M.
dc.contributor.authorLissotschenko, V.N.
dc.date.accessioned2017-05-31T19:49:39Z
dc.date.available2017-05-31T19:49:39Z
dc.date.issued2009
dc.description.abstractWe studied the effect of laser treatment on the glass-Si₃N₄-Si-SiO₂ structures. It is shown that laser treatment causes appearance of an additional band in their transmission spectra as well as smearing of grain structure at their surface.uk_UA
dc.identifier.citationModification of properties of the glass-Si₃N₄-Si-SiO₂ structure at laser treatment / R.V. Konakova, V.P. Kladko, O.S. Lytvyn, O.B. Okhrimenko, B.G. Konoplev, A.M. Svetlichnyi, V.N. Lissotschenko // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2009. — Т. 12, № 3. — С. 284-286. — Бібліогр.: 7 назв. — англ.uk_UA
dc.identifier.issn1560-8034
dc.identifier.otherPACS 71.20.Nr, 78.40.Fy
dc.identifier.urihttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/118876
dc.language.isoenuk_UA
dc.publisherІнститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН Україниuk_UA
dc.relation.ispartofSemiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
dc.statuspublished earlieruk_UA
dc.titleModification of properties of the glass-Si₃N₄-Si-SiO₂ structure at laser treatmentuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Файли

Оригінальний контейнер

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
14-Konakova.pdf
Розмір:
482.9 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити

Контейнер ліцензії

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
817 B
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Колекція

Semicond. Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2009, № 3