Mid-IR impurity absorption in As₂S₃ chalcogenide glasses doped with transition metals

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorPaiuk, A.P.
dc.contributor.authorStronski, A.V.
dc.contributor.authorVuichyk, N.V.
dc.contributor.authorGubanova, A.A.
dc.contributor.authorKrys’kov, Ts.A.
dc.contributor.authorOleksenko, P.F.
dc.date.accessioned2017-05-29T14:57:04Z
dc.date.available2017-05-29T14:57:04Z
dc.date.issued2012
dc.description.abstractRoom temperature IR impurity absorption spectra in 1 4000 7000 cm ( 4.1 - 25um ) region for chalcogenide glasses of As₂S₃ doped with chromium (0.5, 1 wt.%) and manganese (0.1, 1, 2, 5 wt.%) have been studied. The effects of chromium and manganese impurities on the transmission spectra are discussed.uk_UA
dc.identifier.citationMid-IR impurity absorption in As₂S₃ chalcogenide glasses doped with transition metals / A.P. Paiuk, A.V. Stronski, N.V. Vuichyk, A.A. Gubanova, Ts.A. Krys’kov, P.F. Oleksenko // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2012. — Т. 15, № 2. — С. 152-156. — Бібліогр.: 22 назв. — англ.uk_UA
dc.identifier.issn1560-8034
dc.identifier.otherPACS 78.40.Ha
dc.identifier.urihttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/118287
dc.language.isoenuk_UA
dc.publisherІнститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН Україниuk_UA
dc.relation.ispartofSemiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
dc.statuspublished earlieruk_UA
dc.titleMid-IR impurity absorption in As₂S₃ chalcogenide glasses doped with transition metalsuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Файли

Оригінальний контейнер

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
07-Paiuk.pdf
Розмір:
2.07 MB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити

Контейнер ліцензії

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
817 B
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Колекція

Semicond. Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2012, № 2