About influence of energy of electrons and ions on speed of electron- and ion-stimulated plasmachemical etching of silicon

dc.contributor.authorFedorovich, O.A.
dc.contributor.authorKruglenko, M.P.
dc.contributor.authorPolozov, B.P.
dc.date.accessioned2011-02-26T23:08:58Z
dc.date.available2011-02-26T23:08:58Z
dc.date.issued2010
dc.description.abstractThe experimental dependence of the etching rate monosilicon of self-bias voltages on the active electrode at other constant conditions in the discharge is shows. With increasing negative bias potential monosilicon etching rate increases, then reaches a maximum at Ubias ≈ - (140…160 V). Further increasing of negative potential, regardless from method of preparation leads to a decrease in the monosilicon etching rate. This effect can be explained by an increase in dispersion of the active electrode. Application of a positive potential leads to polymer films deposition. Monosilicon etching rate increases with a positive potential bias rise on the active electrode.uk_UA
dc.description.abstractПриведены экспериментальные зависимости скорости травления монокремния от напряжений смещения на активном электроде при других неизменных условиях в разряде. При увеличении отрицательного потенциала смещения скорость травления монокремния увеличивается, достигая максимума при Uсм ≈ -(140…160) В. Дальнейшее увеличение отрицательного потенциала, независимо от метода его получения, приводит к уменьшению скорости травления монокремния. Указанный эффект может объясняться увеличением распыления активного электрода. Подача положительного потенциала приводит к осаждению полимерных пленок. Скорость травления монокремния увеличивается с увеличением положительного потенциала смещения на активном электроде.uk_UA
dc.description.abstractНаведено експериментальні залежності швидкості травлення монокремнію від напруги зміщення на активному електроді при інших незмінних умовах у розряді. При збільшенні негативного потенціалу зміщення швидкість травлення монокремнію збільшується, досягає максимуму при U≈ -(140…160) В. Подальше збільшення негативного потенціалу, незалежно від методу його отримання, призводить до зменшення швидкості травлення монокремнію. Зазначений ефект може пояснюватися збільшенням розпилення активного електрода. Подача позитивного потенціалу призводить до осадження полімерних плівок. Швидкість травлення монокремнію збільшується зі збільшенням позитивного потенціалу зміщення на активному електроді.uk_UA
dc.identifier.citationAbout influence of energy of electrons and ions on speed of electron- and ion-stimulated plasmachemical etching of silicon / O.A. Fedorovich, M.P. Kruglenko, B.P. Polozov // Вопросы атомной науки и техники. — 2010. — № 6. — С. 185-187. — Бібліогр.: 7 назв. — англ.uk_UA
dc.identifier.issn1562-6016
dc.identifier.urihttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/17499
dc.language.isoenuk_UA
dc.publisherНаціональний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН Україниuk_UA
dc.statuspublished earlieruk_UA
dc.subjectНизкотемпературная плазма и плазменные технологииuk_UA
dc.titleAbout influence of energy of electrons and ions on speed of electron- and ion-stimulated plasmachemical etching of siliconuk_UA
dc.title.alternativeО влиянии энергии электронов и ионов на скорость электронно- и ионно- стимулированного плазмохимического травления кремнияuk_UA
dc.title.alternativeПро вплив енергії електронів і іонів на швидкість електронно- і іонно-стимулюванного плазмохімічного травлення кремніюuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Файли

Оригінальний контейнер

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Завантаження...
Ескіз
Назва:
58-Fedorovich.pdf
Розмір:
382.79 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format

Контейнер ліцензії

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Завантаження...
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
929 B
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис: