Layered crystals FeIn₂Se₄, In₄Se₃ and heterojunctions on their basis

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorKushnir, B.V.
dc.contributor.authorKovalyuk, Z.D.
dc.contributor.authorKaterynchuk, V.M.
dc.contributor.authorNetyaga, V.V.
dc.contributor.authorTkachuk, I.G.
dc.date.accessioned2018-06-16T16:14:27Z
dc.date.available2018-06-16T16:14:27Z
dc.date.issued2017
dc.description.abstractA new heterojunction (GP) p-FeIn₂Se₄-n-In₄Se₃ was formed by the mechanical contact of the FeIn₂Se₄ plate with the van der Waals surface of In₄Se₃. Investigation of Volt-Farada's, spectral characteristics and temperature dependences of the VAC of the heterojunction. On the basis of the analysis of electric and photovoltaic characteristics of the GP, a high-quality zone diagram was constructed. The region of spectral photosensitivity of p-FeIn₂Se₄-n-In₄Se₃ GP which is in the range 0.7-1.3 eV, is established.uk_UA
dc.identifier.citationLayered crystals FeIn₂Se₄, In₄Se₃ and heterojunctions on their basis / B.V. Kushnir, Z.D. Kovalyuk, V.M. Katerynchuk, V.V. Netyaga, I.G. Tkachuk // Functional Materials. — 2017. — Т. 24, № 3. — С. 372-375. — Бібліогр.: 16 назв. — англ.uk_UA
dc.identifier.issn1027-5495
dc.identifier.otherDOI: https://doi.org/10.15407/fm24.03.372
dc.identifier.urihttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/136789
dc.language.isoenuk_UA
dc.publisherНТК «Інститут монокристалів» НАН Україниuk_UA
dc.relation.ispartofFunctional Materials
dc.statuspublished earlieruk_UA
dc.subjectCharacterization and propertiesuk_UA
dc.titleLayered crystals FeIn₂Se₄, In₄Se₃ and heterojunctions on their basisuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Файли

Оригінальний контейнер

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
04-Kushnir.pdf
Розмір:
326.35 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити

Контейнер ліцензії

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
817 B
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Колекція

Functional Materials, 2017, № 3