Noise in HgCdTe LWIR arrays

dc.contributor.authorSizov, F.F.
dc.contributor.authorGolenkov, A.G.
dc.contributor.authorZabudsky, V.V.
dc.contributor.authorReva, V.P.
dc.date.accessioned2017-06-14T07:36:27Z
dc.date.available2017-06-14T07:36:27Z
dc.date.issued2002
dc.description.abstractMercury cadmium telluride (MCT) hybrid arrays for long-wavelength infrared (LWIR) applications with n+-p-diodes and n-channel charged coupled devices (CCD) silicon readouts were designed, manufactured and tested. Performance of these arrays at T 80 K is considered. The measurements of noise and signal-to-noise ratio (SNR) are the key issues to determine performance parameters to characterize IR-sensors. That puts certain requirements to the registration system and used methods of measuring signals. To find out and eliminate noise sources the spectral noise power of signals was analyzed. It allowed the possibility to implement actions for reducing of the registration system noise, and to define the software noise filters to be used.uk_UA
dc.identifier.citationNoise in HgCdTe LWIR arrays / F.F. Sizov, A.G. Golenkov, V.V. Zabudsky, V.P. Reva // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2002. — Т. 5, № 4. — С. 398-402. — Бібліогр.: 4 назв. — англ.uk_UA
dc.identifier.issn1560-8034
dc.identifier.otherPACS: 07.50.H
dc.identifier.urihttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/121337
dc.language.isoenuk_UA
dc.publisherІнститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН Україниuk_UA
dc.relation.ispartofSemiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
dc.statuspublished earlieruk_UA
dc.titleNoise in HgCdTe LWIR arraysuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Файли

Оригінальний контейнер

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Завантаження...
Ескіз
Назва:
11-Sizov.pdf
Розмір:
825.36 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format

Контейнер ліцензії

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Завантаження...
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
817 B
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис: