Установка для выращивания малодислокационных монокристаллов GaAs большого диаметра

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorКовтун, Г.П.
dc.contributor.authorКравченко, А.И.
dc.contributor.authorЩербань, А.П.
dc.date.accessioned2014-11-15T19:06:46Z
dc.date.available2014-11-15T19:06:46Z
dc.date.issued2001
dc.description.abstractИзложены особенности разработанной установки для выращивания монокристаллов GaAs диаметром 80—100 мм под слоем флюса в условиях низкого температурного градиента. Монокристаллы GaAs характеризуются низкой плотностью дислокаций (5·10⁴ см⁻²) и равномерностью ее распределения по сечению. Отмечается нестабильность диаметра и появление двойникования у выращиваемых монокристаллов при значительном снижении температурного градиента.uk_UA
dc.identifier.citationУстановка для выращивания малодислокационных монокристаллов GaAs большого диаметра / Г.П. Ковтун, А.И. Кравченко, А.П. Щербань // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2001. — № 6. — С. 52-53. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.uk_UA
dc.identifier.issn2225-5818
dc.identifier.udc621.315.592:658.511.5
dc.identifier.urihttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70897
dc.language.isoruuk_UA
dc.publisherІнститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН Україниuk_UA
dc.relation.ispartofТехнология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.statuspublished earlieruk_UA
dc.subjectНовое технологическое оборудование для микроэлектроникиuk_UA
dc.titleУстановка для выращивания малодислокационных монокристаллов GaAs большого диаметраuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Файли

Оригінальний контейнер

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
15-Kovtun.pdf
Розмір:
100.9 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити

Контейнер ліцензії

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
817 B
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Колекція

Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2001, № 6