Stabilization of thermal breakdown development in semiconductor films
dc.contributor.author | Andreyeva, N.V. | |
dc.contributor.author | Virchenko, Yu.P. | |
dc.date.accessioned | 2015-04-18T20:21:02Z | |
dc.date.available | 2015-04-18T20:21:02Z | |
dc.date.issued | 2004 | |
dc.description.abstract | The analysis of fixed points of the evolution equation for temperature in thermal fluctuation area in semiconductor film is done. It is shown that there exists a stable fixed point being more than the threshold of the breakdown regime development. | uk_UA |
dc.description.abstract | Проведено аналiз нерухомих точок еволюцiйного рiвняння для температури в областi теплової флуктуацiї у напiвпровiдниковiй плiвцi. Доведено, що існує нерухома стійка точка, яка є більшою за величиною порогу виникнення режиму пробою. | uk_UA |
dc.description.abstract | Проведен анализ неподвижных точек эволюционного уравнения для температуры в области тепловой флуктуации на полупроводниковой плёнке. Показано, что существует устойчивая неподвижная точка, большая по величине порога возникновения режима пробоя. | uk_UA |
dc.identifier.citation | Stabilization of thermal breakdown development in semiconductor films / N.V. Andreyeva, Yu.P. Virchenko // Вопросы атомной науки и техники. — 2004. — № 5. — С. 126-128. — Бібліогр.: 2 назв. — англ. | uk_UA |
dc.identifier.issn | 1562-6016 | |
dc.identifier.other | PACS: 75.50.L; 75.30.С | |
dc.identifier.uri | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/80553 | |
dc.language.iso | en | uk_UA |
dc.publisher | Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України | uk_UA |
dc.relation.ispartof | Вопросы атомной науки и техники | |
dc.status | published earlier | uk_UA |
dc.subject | Взаимодействие релятивистских частиц с кристаллами и веществом | uk_UA |
dc.title | Stabilization of thermal breakdown development in semiconductor films | uk_UA |
dc.title.alternative | Стабiлiзацiя розвитку теплового пробою у напiвпровiдникових плiвках | uk_UA |
dc.title.alternative | Стабилизация развития теплового пробоя в полупроводниковых плёнках | uk_UA |
dc.type | Article | uk_UA |
Файли
Оригінальний контейнер
1 - 1 з 1
Завантаження...
- Назва:
- 30-Andreyeva.pdf
- Розмір:
- 144.9 KB
- Формат:
- Adobe Portable Document Format
Контейнер ліцензії
1 - 1 з 1
Завантаження...
- Назва:
- license.txt
- Розмір:
- 817 B
- Формат:
- Item-specific license agreed upon to submission
- Опис: