Эффекты переключения и памяти в МОП-структурах Al-SiO₂-Si

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorИскендер-заде, З.А.
dc.contributor.authorАхундов, М.Р.
dc.contributor.authorДжафарова, Э.А.
dc.contributor.authorАлиханова, Ш.А.
dc.date.accessioned2014-01-27T18:32:20Z
dc.date.available2014-01-27T18:32:20Z
dc.date.issued2004
dc.description.abstractПоказана возможность практического применения Al-SiO₂-Si-структур в создании стабильных и управляемых элементов памяти.uk_UA
dc.identifier.citationЭффекты переключения и памяти в МОП-структурах Al-SiO₂-Si / З.А. Искендер-заде, М.Р. Ахундов, Э.А. Джафарова, Ш.А. Алиханова // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2004. — № 2. — С. 59-61. — Бібліогр.: 3 назв. — рос.uk_UA
dc.identifier.issn2225-5818
dc.identifier.urihttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/53803
dc.language.isoruuk_UA
dc.publisherІнститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН Україниuk_UA
dc.relation.ispartofТехнология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.statuspublished earlieruk_UA
dc.subjectМатериалы электроникиuk_UA
dc.titleЭффекты переключения и памяти в МОП-структурах Al-SiO₂-Siuk_UA
dc.title.alternativeЕфекти перемикання та пам'яті в МОН-структурах Al-SiO₂-Siuk_UA
dc.title.alternativeSwitching and memory effects in Al-SiO₂-Si MOS structuresuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Файли

Оригінальний контейнер

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
16-Iskander.pdf
Розмір:
186.04 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити

Контейнер ліцензії

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
817 B
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Колекція

Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2004, № 2