Электронно-топологический переход в системе Re1-x- Moх
dc.contributor.author | Игнатьева, Т.А. | |
dc.contributor.author | Великодный, А. Н. | |
dc.date.accessioned | 2017-01-09T18:17:52Z | |
dc.date.available | 2017-01-09T18:17:52Z | |
dc.date.issued | 2003 | |
dc.description.abstract | Исследованы сверхпроводящие свойства сплавов Re1-х - Moх под давлением до 10 кбар в интервале концентраций 0…5 ат.% Mo (в пределах твердого раствора). Наблюдали нелинейное увеличение температуры сверхпроводящего перехода Tc до 5 К при 4,5 ат.% Mo с перегибом при ≈ 2,3 ат.% Mo. При этой же концентрации примеси наблюдается минимум в зависимости dTc/dP (С). Эти особенности согласно ранее развитым представлениям соответствуют электронно-топологическому переходу (ЭТП) в Re под действием примеси Mo, появлению малой дырочной полости поверхности Ферми (ПФ). | uk_UA |
dc.description.abstract | Досліджені надпровідні властивості сплавів Re1-х - Moх під тиском до 10 кбар в інтервалі концентрацій 0…5 ат.% Mo (в межах твердого розчину). Спостерігається нелінійне зростання температури надпровідного переходу Tc до 5 К при 4,5 ат.% Mo з перегином при ≈ 2,3 ат.% Mo. При цій же концентрації Mo спостерігається мінімум в залежності dTc/dP (С). Ці особливості, згідно раніше розвинутим уявленням відповідають електронно-топологічному переходу в Re під дією домішки Mo - поява малої діркової порожнини поверхні Фермі (ПФ). | uk_UA |
dc.description.abstract | The superconducting properties of alloys Re1-x Moх at pressure up to 10 kbar in a range of concentrations up to 5 аt % Mo are investigated within the limits of solid solution. Nonlinear increase of superconducting temperature transition Tc up to 5 K at of 4,5 % Mo, with hog-backed at ≈ of 2,3 % Mo are observed. The minimum dependence of dTc/dP at the same concentration of an impurity is also observed. These features by agrees to earlier developed representations correspond to electronic - topological transition in Re under acting of Mo impurities, appearance of a small hole cavity of a Fermi surface. | uk_UA |
dc.identifier.citation | Электронно-топологический переход в системе Re1-x- Moх / Т.А. Игнатьева, А. Н. Великодный // Вопросы атомной науки и техники. — 2003. — № 5. — С. 78-81. — Бібліогр.: 11 назв. — рос. | uk_UA |
dc.identifier.issn | 1562-6016 | |
dc.identifier.udc | 539.2; 538.911 | |
dc.identifier.uri | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/111390 | |
dc.language.iso | ru | uk_UA |
dc.publisher | Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України | uk_UA |
dc.relation.ispartof | Вопросы атомной науки и техники | |
dc.status | published earlier | uk_UA |
dc.subject | Сверхпроводимость и сверхпроводящие материалы | uk_UA |
dc.title | Электронно-топологический переход в системе Re1-x- Moх | uk_UA |
dc.title.alternative | Електронно-топологічний перехід в системі Re1-x- Moх | uk_UA |
dc.title.alternative | Еlectronic - topological transitionin a system Re1-x- Moх | uk_UA |
dc.type | Article | uk_UA |
Файли
Оригінальний контейнер
1 - 1 з 1
Завантаження...
- Назва:
- 15-Ignateva.pdf
- Розмір:
- 196.64 KB
- Формат:
- Adobe Portable Document Format
Контейнер ліцензії
1 - 1 з 1
Завантаження...
- Назва:
- license.txt
- Розмір:
- 817 B
- Формат:
- Item-specific license agreed upon to submission
- Опис: