Электронно-топологический переход в системе Re1-x- Moх

dc.contributor.authorИгнатьева, Т.А.
dc.contributor.authorВеликодный, А. Н.
dc.date.accessioned2017-01-09T18:17:52Z
dc.date.available2017-01-09T18:17:52Z
dc.date.issued2003
dc.description.abstractИсследованы сверхпроводящие свойства сплавов Re1-х - Moх под давлением до 10 кбар в интервале концентраций 0…5 ат.% Mo (в пределах твердого раствора). Наблюдали нелинейное увеличение температуры сверхпроводящего перехода Tc до 5 К при 4,5 ат.% Mo с перегибом при ≈ 2,3 ат.% Mo. При этой же концентрации примеси наблюдается минимум в зависимости dTc/dP (С). Эти особенности согласно ранее развитым представлениям соответствуют электронно-топологическому переходу (ЭТП) в Re под действием примеси Mo, появлению малой дырочной полости поверхности Ферми (ПФ).uk_UA
dc.description.abstractДосліджені надпровідні властивості сплавів Re1-х - Moх під тиском до 10 кбар в інтервалі концентрацій 0…5 ат.% Mo (в межах твердого розчину). Спостерігається нелінійне зростання температури надпровідного переходу Tc до 5 К при 4,5 ат.% Mo з перегином при ≈ 2,3 ат.% Mo. При цій же концентрації Mo спостерігається мінімум в залежності dTc/dP (С). Ці особливості, згідно раніше розвинутим уявленням відповідають електронно-топологічному переходу в Re під дією домішки Mo - поява малої діркової порожнини поверхні Фермі (ПФ).uk_UA
dc.description.abstractThe superconducting properties of alloys Re1-x Moх at pressure up to 10 kbar in a range of concentrations up to 5 аt % Mo are investigated within the limits of solid solution. Nonlinear increase of superconducting temperature transition Tc up to 5 K at of 4,5 % Mo, with hog-backed at ≈ of 2,3 % Mo are observed. The minimum dependence of dTc/dP at the same concentration of an impurity is also observed. These features by agrees to earlier developed representations correspond to electronic - topological transition in Re under acting of Mo impurities, appearance of a small hole cavity of a Fermi surface.uk_UA
dc.identifier.citationЭлектронно-топологический переход в системе Re1-x- Moх / Т.А. Игнатьева, А. Н. Великодный // Вопросы атомной науки и техники. — 2003. — № 5. — С. 78-81. — Бібліогр.: 11 назв. — рос.uk_UA
dc.identifier.issn1562-6016
dc.identifier.udc539.2; 538.911
dc.identifier.urihttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/111390
dc.language.isoruuk_UA
dc.publisherНаціональний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН Україниuk_UA
dc.relation.ispartofВопросы атомной науки и техники
dc.statuspublished earlieruk_UA
dc.subjectСверхпроводимость и сверхпроводящие материалыuk_UA
dc.titleЭлектронно-топологический переход в системе Re1-x- Moхuk_UA
dc.title.alternativeЕлектронно-топологічний перехід в системі Re1-x- Moхuk_UA
dc.title.alternativeЕlectronic - topological transitionin a system Re1-x- Moхuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Файли

Оригінальний контейнер

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Завантаження...
Ескіз
Назва:
15-Ignateva.pdf
Розмір:
196.64 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format

Контейнер ліцензії

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Завантаження...
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
817 B
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис: