A silicon carbide thermistor

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorBoltovets, N.S.
dc.contributor.authorKholevchuk, V.V.
dc.contributor.authorKonakova, R.V.
dc.contributor.authorKudryk, Ya.Ya.
dc.contributor.authorLytvyn, P.M.
dc.contributor.authorMilenin, V.V.
dc.contributor.authorMitin, V.F.
dc.contributor.authorMitin, E.V.
dc.date.accessioned2017-06-15T03:38:29Z
dc.date.available2017-06-15T03:38:29Z
dc.date.issued2006
dc.description.abstractWe consider a silicon carbide thermistor with multilayer Au–TiBx–Ni2Si ohmic contacts intended for operation in the 77 to 450 K temperature range.uk_UA
dc.identifier.citationA silicon carbide thermistor / N.S. Boltovets, V.V. Kholevchuk, R.V. Konakova, Ya.Ya. Kudryk, P.M. Lytvyn, V.V. Milenin, V.F. Mitin, E.V. Mitin // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2006. — Т. 9, № 4. — С. 67-70. — Бібліогр.: 5 назв. — англ.uk_UA
dc.identifier.issn1560-8034
dc.identifier.otherPACS 84.32.Ff
dc.identifier.urihttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/121636
dc.language.isoenuk_UA
dc.publisherІнститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН Україниuk_UA
dc.relation.ispartofSemiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
dc.statuspublished earlieruk_UA
dc.titleA silicon carbide thermistoruk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Файли

Оригінальний контейнер

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
16-Boltovets.pdf
Розмір:
272.14 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити

Контейнер ліцензії

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
817 B
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Колекція

Semicond. Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2006, № 4