Датчик гидростатического давления на основе микрокристаллов антимонида галлия

Abstract

Исследовано влияние гидростатического давления (до 5000 бар) на сопротивление нитевидных кристаллов антимонида галлия n-типа, легированных селеном или теллуром. Определена величина коэффициента гидростатического давления для этих кристаллов: КГ = (16,5—20,0)•10⁻⁵ бар⁻¹ при 20°С. Исследовано влияние температуры в диапазоне от –60 до +60°С на сопротивление и коэффициент КГ этих кристаллов. Рассмотрена возможность уменьшения температурной зависимости сопротивления путем закрепления чувствительного элемента датчика на подложках из различных материалов с различным коэффициентом линейного термического расширения. Приведена конструкция разработанного датчика и его основные характеристики.

Досліджено вплив гідростатичного тиску (до 5000 бар) на опір ниткоподібних кристалів антимоніда галію n-типу, легованих селеном або телуром. Визначено величину коефіцієнта гідростатичного тиску для цих кристалів: КГ = (16,5—20,0)∙10⁻⁵ бар⁻¹ при 20°С. Досліджено вплив температури в діапазоні від –60 до +60°С на опір та на коефіцієнт КГ цих кристалів. Розглянуто можливість зменшення температурної залежності опору шляхом закріплення чутливого елемента датчика на підкладках з різних матеріалів з різним коефіцієнтом лінійного термічного розширення. Наведено конструкцію розробленого датчика і його основні характеристики

Effect of hydrostatic pressure up to 5000 bar on the resistance of n-type antimonide gallium whiskers doped by Se or Te was studied. Coefficient of hydrostatic pressure for this crystals was determined, it equals Kh = (16,5—20,0)•10⁻⁵ bar⁻¹ at 20°N. Temperature dependence of resistance and coefficient Kh for this crystals in the temperature range ±60°N was studied. Design of the developed hydrostatic pressure sensor based on GaSb whiskers and its characteristics are presented.