Метод построения запоминающих устройств со сверхвысокой плотностью записи информации

dc.contributor.authorХодаковский, Н.И.
dc.date.accessioned2021-10-23T17:27:31Z
dc.date.available2021-10-23T17:27:31Z
dc.date.issued2019
dc.description.abstractРазработан метод построения запоминающих устройств со сверхвысокой плотностью записи информации на основе использования принципов работы молекулярных систем нейрона и его ядерных компонентов — ДНК и РНК. Предложена модель передачи импульсов между синапсами нейронов и структурами нейронов в процессе изменения порога чувствительности нейрона в зависимости от величины тока. Предложенные устройства могут быть использованы как запоминающие модули наноразмерных сенсоров.uk_UA
dc.description.abstractРозроблено метод побудови запам’ятовувальних пристроїв з надвисокою щільністю запису інформації на основі використання принципів роботи молекулярних систем нейрона та його ядерних компонентів — ДНК і РНК. Запропоновано модель передачі імпульсів між синапсами і структурами нейронів у процесі зміни порога чутливості нейрона в залежності від величини струму. Запропоновані пристрої можуть бути використані як запам’ятовувальні модулі для нанорозмірних сенсорів..uk_UA
dc.description.abstractA method is developed to construct memory devices with an ultrahigh density of information recording based on the principles of operation of the neuron molecular systems and its nuclear components, DNA and RNA. A model of impulse transfer between synapses and neuron structures during variation in the neuron sensitivity threshold as a function of current is proposed. The proposed devices can be used as memory modules in nanoscale sensorsuk_UA
dc.identifier.citationМетод построения запоминающих устройств со сверхвысокой плотностью записи информации / Н.И. Ходаковский // Кибернетика и системный анализ. — 2019. — Т. 56, № 3. — С. 173-181. — Бібліогр.: 13 назв. — рос.uk_UA
dc.identifier.issn1019-5262
dc.identifier.udc004.82
dc.identifier.urihttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/180880
dc.language.isoruuk_UA
dc.publisherІнститут кібернетики ім. В.М. Глушкова НАН Україниuk_UA
dc.relation.ispartofКибернетика и системный анализ
dc.statuspublished earlieruk_UA
dc.subjectНові засоби кібернетики, інформатики, обчислювальної техніки та системного аналізуuk_UA
dc.titleМетод построения запоминающих устройств со сверхвысокой плотностью записи информацииuk_UA
dc.title.alternativeМетод побудови запам’ятовувальних пристроїв з надвисокою щільністю запису інформаціїuk_UA
dc.title.alternativeThe method of constructing memory devices with ultrahigh density of information recording /uk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Файли

Оригінальний контейнер

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Завантаження...
Ескіз
Назва:
18-Khodakovskyi.pdf
Розмір:
100.84 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format

Контейнер ліцензії

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Завантаження...
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
817 B
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис: