Анализ переходных процессов в радиационно облученых кремниевых p+nn+-структурах
dc.contributor.author | Рахматов, А.З. | |
dc.contributor.author | Каримов, А.В. | |
dc.date.accessioned | 2016-06-08T17:36:45Z | |
dc.date.available | 2016-06-08T17:36:45Z | |
dc.date.issued | 2012 | |
dc.description.abstract | На основе экспериментальных данных зависимости времени жизни неосновных носителей заряда от радиационного облучения сделано заключение, что зависимость Kτ0 /Kt(Ф) от ρ(Ф)/ρ(0) с высокой степенью достоверности (R² = 0,96) аппроксимируется прямой линией и по сути она очень близка к известной формуле для времени жизни неосновных носителей заряда при больших концентрациях ловушек τp = τp0(1 + Nсм/n0). При этом зависимость Kτ от флюенса нейтронов вероятнее всего определяется уменьшением концентрации основных носителей под воздействием облучения. | uk_UA |
dc.description.abstract | На основі експериментальних даних залежності часу життя неосновних носіїв заряду від радіаційного опромінення зроблено висновок, що залежність Kτ0/Kτ(Ф) від ρ(Ф)/ρ(0) з високим ступенем вірогідності (R² = 0,96) апроксимується прямою лінією й по суті вона дуже близька до відомої формули для часу життя неосновних носіїв заряду при великих концентраціях уловлювачів τp = τp0(1 + Nсм/n0). При цьому залежність Kτ від флюенса нейтронів найімовірніше визначається зменшенням концентрації основних носіїв під впливом опромінення. | uk_UA |
dc.description.abstract | Based on experimental data of the dependence of the minority carrier lifetime from radiation exposure was concluded that the relationship Kτ0/Kτ (Ф) from ρ(Ф)/ρ(0) with a high degree of confidence (R² = 0,96) is approximated by a straight line and actually it is very close to the well-known formula for the lifetime of minority carriers at high concentration of traps τp0(1 + Nsm/n0). The dependence of the Kτ from neutron fluence probably is determined by decreasing the concentration of majoritycarriers under irradiation. | uk_UA |
dc.identifier.citation | Анализ переходных процессов в радиационно облученых кремниевых p+nn+-структурах / А.З. Рахматов, А.В. Каримов // Физическая инженерия поверхности. — 2012. — Т. 10, № 4. — С. 392-396. — Бібліогр.: 13 назв. — рос. | uk_UA |
dc.identifier.issn | 1999-8074 | |
dc.identifier.udc | 621.315.592.2 | |
dc.identifier.uri | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/101888 | |
dc.language.iso | ru | uk_UA |
dc.publisher | Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України | uk_UA |
dc.relation.ispartof | Физическая инженерия поверхности | |
dc.status | published earlier | uk_UA |
dc.title | Анализ переходных процессов в радиационно облученых кремниевых p+nn+-структурах | uk_UA |
dc.type | Article | uk_UA |
Файли
Оригінальний контейнер
1 - 1 з 1
Завантаження...
- Назва:
- 10-Rahmatov.pdf
- Розмір:
- 242.58 KB
- Формат:
- Adobe Portable Document Format
Контейнер ліцензії
1 - 1 з 1
Завантаження...
- Назва:
- license.txt
- Розмір:
- 817 B
- Формат:
- Item-specific license agreed upon to submission
- Опис: