Концентрационные максимумы подвижности 2D-электронов при рассеянии на скоррелированных примесных ионах в тонких легированных слоях

Abstract

На примере гетероструктуры AlxGa₁–xAs/GaAs теоретически изучены концентрационные зависимости подвижности 2D-электронов при рассеянии на равновесном коррелированном распределении примесных ионов при фиксированных температурах. Показано, что в случае значительных корреляций в расположении примесных ионов наличие эффекта «инверсии электронной проводимости» приводит к локальным максимумам электронной подвижности.

На прикладі гетероструктури AlxGa₁–xAs/GaAs теоретично вивчено концентраційні залежності рухливості 2D-електронів при розсіянні на рівноважному корельованому розподілі домішкових іонів при фіксованих температурах. Показано, що у випадку значних кореляцій в розташуванні домішкових іонів наявність ефекту «інверсії електронної провідності» призводить до локальних максимумів електронної рухливості.

Using the example of the AlxGa₁–xAs/GaAs heterostructure, the concentration dependences of the mobility of 2D electrons upon scattering by an equilibrium correlated distribution of impurity ions at fixed temperatures are theoretically studied. It is shown that, in the case of significant correlations in the arrangement of impurity ions, the presence of the effect of “electron conduction inversion” leads to local maxima of the electron mobility.