Фотоелектричні властивості приймачів випромінювання, виготовлених на іонно травлених поверхнях кремнію
| dc.contributor.author | Житарюк, В.Г. | |
| dc.contributor.author | Годованюк, В.М. | |
| dc.contributor.author | Докторович, І.В. | |
| dc.date.accessioned | 2012-04-14T19:38:19Z | |
| dc.date.available | 2012-04-14T19:38:19Z | |
| dc.date.issued | 2009 | |
| dc.description.abstract | Досліджено вплив іонного травлення поверхонь пластин кремнію на основні параметри фотодіодів, виготовлених на цих поверхнях. | uk_UA |
| dc.description.abstract | Influence of ion etching of surfaces of silicon plates on the principal parameters of photodiodes made on these surfaces is investigated. | uk_UA |
| dc.identifier.citation | Фотоелектричні властивості приймачів випромінювання, виготовлених на іонно травлених поверхнях кремнію / В.Г. Житарюк, В.М. Годованюк, І.В. Докторович // Оптико-електронні інформаційно-енергетичні технології. — 2009. — № 1 (17). — С. 137-140. — Бібліогр.: 4 назв. — укp. | uk_UA |
| dc.identifier.issn | 1681-7893 | |
| dc.identifier.udc | 537.611 | |
| dc.identifier.uri | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/32230 | |
| dc.language.iso | uk | uk_UA |
| dc.publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України | uk_UA |
| dc.relation.ispartof | Оптико-електронні інформаційно-енергетичні технології | |
| dc.status | published earlier | uk_UA |
| dc.subject | Оптична і квантова електроніка в комп’ютерних та інтелектуальних технологіях | uk_UA |
| dc.title | Фотоелектричні властивості приймачів випромінювання, виготовлених на іонно травлених поверхнях кремнію | uk_UA |
| dc.type | Article | uk_UA |
Файли
Оригінальний контейнер
1 - 1 з 1
Завантаження...
- Назва:
- 23-Zhitaryuk.pdf
- Розмір:
- 145.71 KB
- Формат:
- Adobe Portable Document Format
Контейнер ліцензії
1 - 1 з 1
Завантаження...
- Назва:
- license.txt
- Розмір:
- 929 B
- Формат:
- Item-specific license agreed upon to submission
- Опис: