Метод учета рекомбинации точечных дефектов в теории диффузионных процессов в кристаллах под облучением

dc.contributor.authorСлёзов, В.В.
dc.contributor.authorОстапчук, П.Н.
dc.date.accessioned2011-02-26T10:24:03Z
dc.date.available2011-02-26T10:24:03Z
dc.date.issued2010
dc.description.abstractПредложен способ приближенного учета квадратичного слагаемого рекомбинационного типа в диффузионной задаче в области влияния стока. Суть его состоит в следующем: вблизи границы стока этим слагаемым, как и ранее, пренебрегаем в силу малости концентрации точечных дефектов; вблизи границы области влияния нелинейную часть диффузионного уравнения приближенно лианеризуем из-за малости градиента концентрации. В качестве точки сшивки концентрации и потока предлагается выбрать точку перегиба квадрата концентрации. Сравнение точных и приближенных решений приведено для линейной и сферически симметричной задач.uk_UA
dc.description.abstractЗапропоновано спосіб приблизного урахування квадратичного додатку рекомбінаційного типу у дифузійній задачі в області впливу стоку. Суть його полягає у наступному: поблизу границі стоку цим додатком, як і раніше, нехтуємо в силу малості концентрації точкових дефектів; поблизу границі області впливу нелінійну частину дифузійного рівняння приблизно ліанеризуємо в силу малості градієнта концентрації. В якості точки зшивки концентрації та потоку пропонується вибрати точку перегину квадрату концентрації. Порівняння точних та приблизних рішень наведено для лінійної та сферично симетричної задач.uk_UA
dc.description.abstractА method of taking into account the quadratic term responsible for the bulk recombination of point defects in the diffusion problem in the sink region of influence is proposed. It is based on linearization of the diffusion equation near the vicinity of the boundary of the sink region of influence, where the concentration gradient is sufficiently small. The approximate analytical solution agrees very well with the exact numerical one for the spherically symmetrical case and with exact analytical one for the linear case.uk_UA
dc.description.sponsorshipАвторы благодарны НТЦУ за частичную финансовую поддержку работы по проекту № 4962.uk_UA
dc.identifier.citationМетод учета рекомбинации точечных дефектов в теории диффузионных процессов в кристаллах под облучением / В.В. Слёзов, П.Н. Остапчук // Вопросы атомной науки и техники. — 2010. — № 5. — С. 15-20. — Бібліогр.: 3 назв. — рос.uk_UA
dc.identifier.issn1562-6016
dc.identifier.urihttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/17375
dc.language.isoruuk_UA
dc.publisherНаціональний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН Україниuk_UA
dc.statuspublished earlieruk_UA
dc.subjectФизика радиационных повреждений и явлений в твердых телахuk_UA
dc.titleМетод учета рекомбинации точечных дефектов в теории диффузионных процессов в кристаллах под облучениемuk_UA
dc.title.alternativeМетод урахування рекомбінації точкових дефектів у теорії дифузійних процесів в кристалах під опроміненнямuk_UA
dc.title.alternativeMethod of introducing bulk recombination of point defects in the rate theory of crystals under irradiationuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Файли

Оригінальний контейнер

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Завантаження...
Ескіз
Назва:
02-Slezov.pdf
Розмір:
345.01 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format

Контейнер ліцензії

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Завантаження...
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
929 B
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис: