Формирование мезаструктур 4НSiC p–i–n-диодов методом ионно-плазменного травления

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorБолтовец, Н.С.
dc.contributor.authorБорисенко, А.Г.
dc.contributor.authorИванов, В.Н.
dc.contributor.authorФедорович, О.А.
dc.contributor.authorКривуца, В.А.
dc.contributor.authorПолозов Б.П.
dc.date.accessioned2013-12-29T17:43:22Z
dc.date.available2013-12-29T17:43:22Z
dc.date.issued2009
dc.description.abstractПредставлены результаты исследования и оптимизации процесса формирования карбидокремниевой мезаструктуры для p-i-n-диода на промышленной технологической базе. Исследованы характеристики диодов в интервале температуры 25-500 °С.uk_UA
dc.description.abstractПредставлено результати дослідження та оптимізації процесу формування мезаструктур 4НSiC p-i-n-діодів на промисловій технологічній базі. Досліджено вольт-амперні характеристики та характеристики перемикання p-i-n-діодів в інтервалі температури 25-500°С.·uk_UA
dc.description.abstractThe results of research and optimization of 4HSiC p-i-ndiodes mesastructures manufacturing method are presented as well as analysis of current-voltage characteristics and switching characteristics of p-i-n-diodes in the 25-500°C temperature range.uk_UA
dc.identifier.citationФормирование мезаструктур 4НSiC p–i–n-диодов методом ионно-плазменного травления / Н.С. Болтовец, А.Г. Борисенко, В.Н. Иванов, О.А. Федорович, В.А. Кривуца, Б.П. Полозов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2009. — № 5. — С. 45-48. — Бібліогр.: 8 назв. — рос.uk_UA
dc.identifier.issn2225-5818
dc.identifier.urihttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52315
dc.language.isoruuk_UA
dc.publisherІнститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН Україниuk_UA
dc.relation.ispartofТехнология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.statuspublished earlieruk_UA
dc.subjectТехнологические процессы и оборудованиеuk_UA
dc.titleФормирование мезаструктур 4НSiC p–i–n-диодов методом ионно-плазменного травленияuk_UA
dc.title.alternativeФормування мезаструктур 4НSiC p-i-n-діодів методом іонно-плазмового травленняuk_UA
dc.title.alternativeForming of 4HSiC p-i-n-diodes mesastructures by the ion-plasmous etching methoduk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Файли

Оригінальний контейнер

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
13-Boltovets.pdf
Розмір:
179.67 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити

Контейнер ліцензії

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
817 B
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Колекція

Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2009, № 5