Влияние переменного тока на токовые состояния квантового интерферометра, шунтированного сверхпроводящей индуктивностью

Abstract

Установлены закономерности обратимого изменения критического тока и дискретных токовых состояний структуры в виде сверхпроводящего квантового интерферометра, шунтированного сверхпроводящей индуктивностью, при пропускании через структуру переменного транспортного тока и при одновременном с постоянным транспортным током воздействии внешнего переменного магнитного поля. Обнаружен новый тип дискретных стационарных состояний структуры при переходе интерферометра в резистивное состояние, вызванное совместным действием постоянного и переменного транспортных токов

Встановлено закономірності оборотної зміни критичного струму та дискретних струмових станів структури у вигляді надпровідного квантового інтерферометра, який шунтується надпровідною індуктивністю, при пропусканні через структуру змінного транспортного струму та при одночасному з постійним транспортним струмом впливом зовнішнього змінного магнітного поля. Виявлено новий тип дискретних стаціонарних станів структури під час переходу інтерферометра в резистивний стан при сумісній дії постійного і змінного транспортних струмів.

Laws of reversible change of a critical current and discrete current states of the structure in the form of superconducting quantum interferometer, shunted by superconducting inductance are established, at passing through the structure alternating transport current and at simultaneous influence with a transport current of an external alternating magnetic field. The new type of discrete stationary states of the structure is found out at transition of an interferometer in a resistive state caused by joint action of direct and alternating transport currents.