Фотоэлектрохимические процессы, импеданс и шумы на полупроводниковом InP-электроде

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorКолбасов, Г.Я.
dc.contributor.authorРусецкий, И.А.
dc.date.accessioned2022-05-12T17:49:12Z
dc.date.available2022-05-12T17:49:12Z
dc.date.issued2000
dc.description.abstractИсследована фоточувствительность IпР-электрода; для определения механизма фотостимулированного переноса заряда на межфазной границе раздела изучены импеданс и электрохимический шум. Установлено, что перенос заряда происходит с участием каталитических центров, образующих поверхностные электронные состояния (ПЭС); определены плотность ПЭС и степень их заполнения электронами.uk_UA
dc.identifier.citationФотоэлектрохимические процессы, импеданс и шумы на полупроводниковом InP-электроде / Г.Я. Колбасов, И.А. Русецкий // Украинский химический журнал. — 2000. — Т. 66, № 5. — С. 27-30. — Бібліогр.: 8 назв. — рос.uk_UA
dc.identifier.issn0041–6045
dc.identifier.udc541.13
dc.identifier.urihttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/184274
dc.language.isoruuk_UA
dc.publisherІнститут загальної та неорганічної хімії ім. В.І. Вернадського НАН Україниuk_UA
dc.relation.ispartofУкраинский химический журнал
dc.statuspublished earlieruk_UA
dc.subjectЭлектрохимияuk_UA
dc.titleФотоэлектрохимические процессы, импеданс и шумы на полупроводниковом InP-электродеuk_UA
dc.title.alternativeФотоелектрохімічні процеси, імпеданс та шуми на напівпровідниковому ІnP-електродіuk_UA
dc.title.alternativePhotoelectrochemical processes, impedance and noises on semiconductor InP electodeuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Файли

Оригінальний контейнер

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
06-Kolbasov.pdf
Розмір:
445.39 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити

Контейнер ліцензії

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
817 B
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Колекція

Украинский химический журнал, 2000, № 05