Nanodimensional formations on the CdTe and ZnₓCd₁₋ₓTe surfaces at chemical etching

Abstract

Aperiodic nanodimensional needle-shaped formations have been shown to appear on the polished surfaces of undoped CdTe and Cd₁₋ₓZn₁₋ₓTe single crystals at one- and two-stage chemical treatment including consecutive procedures of chemical-mechanical and chemicaldynamic polishing using the optimized polishing etchant compositions Н₂O₂-HBr-glycol and Н₂O₂-HBr-lactic acid as well as the appropriate interstage rinsing. The dimensions of these nano-needles vary from 10 to 80 nm, depending on the semiconductor nature, chemical treatment methods and polishing etchant composition.

Показано, що в результаті одно- і двостадійної хімічної обробки поверхні монокристалів нелегованого CdTe та твердих розчинів Cd₁₋ₓZn₁₋ₓTe, яка складається із послідовних операцій хіміко-механічного та хіміко-динамічного полірування оптимізованими полірувальними травильними сумішами Н₂O₂-НВr-етиленгліколь та Н₂O₂-НВr-молочна кислота (С₃Н₆O₃), а також відповідних міжопераційних промивок, на полірованій поверхні формуються неперіодичні нанорозмірні голчасті утворення. В залежності від природи напівпровідника, методів хімічної обробки та складу полірувальних травильних композицій розмір наноголок варіює у межах від 10 до 80 нм.

Показано, что в результате одно- и двустадийной химической обработки поверхности монокристаллов нелегированного СdТе и твердых растворов Cd₁₋ₓZn₁₋ₓTe, которая состоит из последовательных операций химико-механического и химико-динамического полирования оптимизированными полирующими травильными смесями Н₂O₂-НВr-этиленгликоль и Н₂O₂-НВr-молочная кислота, а также соответствующих межоперационных промывок, на полированной поверхности формируются непериодические наноразмерные игольчатые образования. В зависимости от природы полупроводника, методов химической обработки и состава полирующих травильных композиций размер наноиголок изменяется в пределах от 10 до 80 нм.