Modulated structures in the ANNNI model with an external magnetic field near criticality

dc.contributor.authorGonchar, N.S.
dc.contributor.authorHajduk, H.G.
dc.date.accessioned2017-06-10T11:31:21Z
dc.date.available2017-06-10T11:31:21Z
dc.date.issued1999
dc.description.abstractConditions for a phase transition from the paramagnetic state to the modulated structure are found in a class of anisotropic Ising models with an external magnetic field. The critical value of the external magnetic field is obtained. Branching equations are derived and small branching theorems are proven for commensurate and incommensurate configurations.uk_UA
dc.description.abstractЗнайдено умови фазового переходу із парамагнітного стану до модульованої структури в класі анізотропних моделей Ізінга з зовнішнім магнітним полем. Обчислено значення критичного магнітного поля. Отримані рівняння галуження та доведені теореми про малі галуження для співмірних та неспівмірних конфігурацій.uk_UA
dc.identifier.citationModulated structures in the ANNNI model with an external magnetic field near criticality / N.S. Gonchar, H.G. Hajduk // Condensed Matter Physics. — 1999. — Т. 2, № 1(17). — С. 3-14. — Бібліогр.: 8 назв. — англ.uk_UA
dc.identifier.issn1607-324X
dc.identifier.otherDOI:10.5488/CMP.2.1.3
dc.identifier.otherPACS: 05.50.+q, 64.60.Cn
dc.identifier.urihttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/119922
dc.language.isoenuk_UA
dc.publisherІнститут фізики конденсованих систем НАН Україниuk_UA
dc.relation.ispartofCondensed Matter Physics
dc.statuspublished earlieruk_UA
dc.titleModulated structures in the ANNNI model with an external magnetic field near criticalityuk_UA
dc.title.alternativeМодульовані структури поблизу критичності в моделі ANNNI з зовнішнім магнітним полемuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Файли

Оригінальний контейнер

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Завантаження...
Ескіз
Назва:
01-Gonchar.pdf
Розмір:
136.26 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format

Контейнер ліцензії

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Завантаження...
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
817 B
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис: