Взрывная кристаллизация тонких пленок полупроводников при облучении y-квантами

Abstract

Выявлены ранее не описанные структурные микродефекты, возникающие в пленках полупроводника при гамма-облучении. Показано, что причиной изменения оптических свойств таких пленок являются микронеоднородности и упругие поля вокруг них. Проведенными экспериментальными исследованиями процессов радиационного дефектообразования выявлена одна из возможных причин искажения электрического сигнала в слоистых структурах изделий твердотельной электроники.

This paper deals with finding out the causes of appearing nonlinearities of the integral circuits components. It has been shown that in the interaction with γ - quantum's recrystallization tares place in semiconductors. The recrystallized areas are among the causes which produce the signal deformation.