Фотоконденсатор на основе нанокомпозита n-InSe<RbNO₃>

Abstract

На основе слоистого полупроводника n-InSe и сегнетоэлектрической соли RbNO₃ синтезирован новый нанокомпозит n-InSe<RbNO₃>. Полученное соединение отличается высоким коэффициентом перекрытия по емкости при освещении и обладает способностью накапливать электрический заряд. На его основе разработан фотоконденсатор, работоспособный в области частот от 10⁻¹ до 10⁴ Гц, для применения в оптоэлектронных системах памяти, в фотоэлектрических сенсорах, в преобразователях световой энергии и в накопителях электрической энергии.

Методом інтеркаляції іонів сегнетоелектричної солі RbNO₃ із її розплаву у шаруватий монокристал InSe отримано нанокомпозитний матеріал n-InSe<RbNO₃>, який може бути використаний для виготовлення фотоконденсатора з високою питомою ємністю. Проведено рентгенівський аналіз структури, отримано АСМ-зображення поверхні шарів, виміряно діелектричні частотні характеристики зразків.

The n-InSe<RbNO₃> nanocomposite material was obtained by the method of intercalation of the InSe layered single crystal from a melt of RbNO₃ ferroelectric salt, which can be used for the production of a high-specific capacitance photoconductor. X-ray analysis of the structure, AFM-imaging of the surface and measurement of dielectric frequency characteristics of the samples were carried out. It was found that the intercalated InSe<RbNO₃> samples keeps the type of monocrystalline structure, and the spectrum of X-ray diffraction pattern indicates the implantation of the intercalant in the van der Waals gaps of layered InSe single crystal with an increase in the parameters of the crystal lattice.