Особенности возникновения и дрейфа волн объёмного заряда в приборах с междолинным переносом электронов на основе варизонного GaPx(z)As1-x(z)

Abstract

Исследовано возникновение и дрейф волн объёмного заряда в диоде Ганна на основе варизонного GaPx(z)As1-x(z) с n+-n катодом. Показано, что в варизонных диодах Ганна существуют эффекты, которых нет в диодах на основе пространственно-однородных по составу полупроводников. Сделано обобщение тройных варизонных полупроводников А3В5.

Досліджено виникнення та дрейф хвиль об’ємного заряду в діоді Ганна на основі варізонного GaPx(z)As1-x(z). з n+-n катодом. Показано, що у варізонних діодах існують ефекти, яких нема у діодах Ганна на основі просторово-однорідних за складом напівпровідників. Зроблено узагальнення потрійних варізонних напівпровідників А3В5.

Singularities formation and drift of volume charge wave in based variband GaPx(z)As1-x(z) Gunn diodes with n+-n cathode has been studied. These diodes are shown exist of phenomena’s which not in employing spatially efficiency homogeneous semiconductors. To made extension of А3В5 variband threefold semiconductors.