Аномалия проводимости неоднородного квазиодномерного электронного канала над жидким гелием

Abstract

Экспериментально изучена проводимость квазиодномерной электронной системы в проводящем канале над жидким гелием в области температур 0,5-1,9 К. Установлено, что для ряда подложек наблюдаются аномалии на зависимости проводимости от потенциала прижимающего электрического поля (резкое понижение проводимости). Такое поведение проводимости, по-видимому, связано с вариациями потенциала вдоль проводящего канала, обусловленными различными видами неоднородностей.

Експериментально вивченo провідність квазіодновимірної електронної системи в провідному канал і над рідким гелієм в області температур 0,5-1,9 К. Bстановлено, що для ряду підкладок спостер ігаються аномалії на залежності провідності від потенціалу електричного поля, що притискає (різке зниження провідності). Така поведінка провідності, очевидно, пов'язана з варіаціями потенц іалу уздовж провідного каналу, обумовленими різними видами неоднорідностей.

Conductivity of a quasi-one-dimensional electron system in the conducting channel above liquid helium is investigated experimentally in the temperature region 0.5–1.9 K. It is found that anomalies the conductivity as a function of pressing electric field displays (sharp downturn) for some substrates. Such a behavior of conductivity appears to result from variations in the potential along the conducting channel caused by inhomogenities of profiled substrates.