Angular distributions of gamma-radiation of 1.2 GeV electrons in silicon monocrystals of great thickness

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorBochek, G.L.
dc.contributor.authorFomin, S.P.
dc.contributor.authorKulibaba, V.I.
dc.contributor.authorLapko, V.P.
dc.contributor.authorMaslov, N.I.
dc.contributor.authorShramenko, B.I.
dc.contributor.authorShul’ga, N.F.
dc.date.accessioned2015-03-24T18:53:48Z
dc.date.available2015-03-24T18:53:48Z
dc.date.issued2001
dc.identifier.citationAngular distributions of gamma-radiation of 1.2 GeV electrons in silicon monocrystals of great thickness / G.L. Bochek, S.P. Fomin, V.I. Kulibaba, V.P. Lapko, N.I. Maslov, B.I. Shramenko, N.F. Shul’ga // Вопросы атомной науки и техники. — 2001. — № 5. — С. 211-213. — Бібліогр.: 5 назв. — англ.uk_UA
dc.identifier.issn1562-6016
dc.identifier.otherPACS numbers: 29.25.-t
dc.identifier.urihttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/79033
dc.language.isoenuk_UA
dc.publisherНаціональний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН Україниuk_UA
dc.relation.ispartofВопросы атомной науки и техники
dc.statuspublished earlieruk_UA
dc.titleAngular distributions of gamma-radiation of 1.2 GeV electrons in silicon monocrystals of great thicknessuk_UA
dc.title.alternativeСпектрально-угловые распределения гамма-излучения электронов с энергией 1,2 ГэВ в монокристаллах Si большой толщиныuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Файли

Оригінальний контейнер

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
71-Bochek.pdf
Розмір:
221.72 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити

Контейнер ліцензії

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
817 B
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Колекція

Вопросы атомной науки и техники, 2001, № 5