Диссоциативный режим ВЧ емкостного разряда низкого давления

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorЛисовский, В.А.
dc.date.accessioned2016-04-17T19:40:46Z
dc.date.available2016-04-17T19:40:46Z
dc.date.issued2006
dc.description.abstractВ данной работе представлены результаты экспериментального исследования ВЧ емкостного разряда в SF₆, NF₃ и SiH₄ низкого давления.uk_UA
dc.description.abstractУ роботі наведено результати експериментального дослідження ВЧ ємнісного розряду у SF₆, NF₃ та SiH₄ низького тиску.uk_UA
dc.description.abstractThis paper presents the results of experimental studying rf capacitive discharge in low-pressure SF₆, NF₃ and SiH₄ . .uk_UA
dc.identifier.citationНауковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України / В.А. Лисовский // Физическая инженерия поверхности. — 2006. — Т. 4, № 3-4. — С. 143–168. — Бібліогр.: 77 назв. — рос.uk_UA
dc.identifier.issn1999-8074
dc.identifier.udc533. 915
dc.identifier.urihttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98793
dc.language.isoruuk_UA
dc.publisherНауковий фізико-технологічний центр МОН та НАН Україниuk_UA
dc.relation.ispartofФизическая инженерия поверхности
dc.statuspublished earlieruk_UA
dc.titleДиссоциативный режим ВЧ емкостного разряда низкого давленияuk_UA
dc.title.alternativeДисоціативна мода вч ємнісного розряду низького тискуuk_UA
dc.title.alternativeDissociative mode in low-pressure rf dischargeuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Файли

Оригінальний контейнер

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
2-Lisovskiy.pdf
Розмір:
593.61 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити

Контейнер ліцензії

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
817 B
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Колекція

Физическая инженерия поверхности, 2006, № 3-4