Фоточувствительность и механизм протекания тока в гетероструктурах p-CdTe-SiO₂-Si с глубокими примесными уровнями

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorЖураев, Н.
dc.contributor.authorХалилов, М.
dc.contributor.authorОтажонов, С.
dc.contributor.authorАлимов, Н.
dc.date.accessioned2017-07-15T14:32:14Z
dc.date.available2017-07-15T14:32:14Z
dc.date.issued2017
dc.description.abstractИзучено фоточувствительность и механизм протекания тока в низкоразмерных гетероструктурах p-CdTe-SiO₂-Si с глубокими примесными уровнями. Обнаружена пикосекундная фотопроводимость, что свидетельствует о наличии большой концентрации поверхностных рекомбинационных центров в пленках CdTe.uk_UA
dc.description.abstractВивчено фоточувствительность і механізм протікання струму в низьковимірних гетероструктурах p-CdTe-SiO₂-Si з глибокими домішковими рівнями. Виявлена пікосекундна фотопровідність, що свідчить про наявність великої концентрації поверхневих рекомбінаційних центрів в плівках CdTe.uk_UA
dc.description.abstractThe photosensitivity and the current flow mechanism in low-dimensional p-CdTe-SiO₂-Si heterostructures with deep impurity levels are studied. A picosecond photoconductivity was detected, which indicates the presence of a large concentration of surface recombination centers in CdTe films.uk_UA
dc.identifier.citationФоточувствительность и механизм протекания тока в гетероструктурах p-CdTe-SiO₂-Si с глубокими примесными уровнями / Н. Жураев, М. Халилов, С. Отажонов, Н. Алимов // Журнал физики и инженерии поверхности. — 2017. — Т. 2, № 1. — С. 29-32. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.uk_UA
dc.identifier.issn2519-2485
dc.identifier.udc621. 315. 593
dc.identifier.urihttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/122606
dc.language.isoruuk_UA
dc.publisherНауковий фізико-технологічний центр МОН та НАН Україниuk_UA
dc.relation.ispartofЖурнал физики и инженерии поверхности
dc.statuspublished earlieruk_UA
dc.titleФоточувствительность и механизм протекания тока в гетероструктурах p-CdTe-SiO₂-Si с глубокими примесными уровнямиuk_UA
dc.title.alternativeФоточутливість і механізм протікання струму в гетероструктурах p-CdTe-SiO₂-Si з глибокими домішковими рівнямиuk_UA
dc.title.alternativePhotosensitivity and current flow mechanism in p-CdTe-SiO₂-Si heterostructures with deep impurity levelsuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Файли

Оригінальний контейнер

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
04-Zhuraev.pdf
Розмір:
824.89 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити

Контейнер ліцензії

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
817 B
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Колекція

Журнал физики и инженерии поверхности, 2017, № 1