Создание Т-образного затвора в малошумящих полевых СВЧ-транзисторах

dc.contributor.authorБосый, В.И.
dc.contributor.authorКоржинский, Ф.И.
dc.contributor.authorСемашко, Е.М.
dc.contributor.authorСереда, И.В.
dc.contributor.authorСереда, Л.Д.
dc.contributor.authorТкаченко, В.В.
dc.date.accessioned2014-01-18T20:32:38Z
dc.date.available2014-01-18T20:32:38Z
dc.date.issued2006
dc.description.abstractПолучены экспериментальные образцы транзисторов с Т-образными затворами высотой 1,1 мкм, длиной нижней части 0,15 мкм и верхней части - 0,8-1,0 мкм.uk_UA
dc.description.sponsorshipСтатья подготовлена в рамках украинской Государственной программы развития техники и технологий сверхвысоких частот на 2005-2009 годы.uk_UA
dc.identifier.citationСоздание Т-образного затвора в малошумящих полевых СВЧ-транзисторах / В.И. Босый, Ф.И. Коржинский, Е.М. Семашко, И.В. Середа, Л.Д. Середа, В.В. Ткаченко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2006. — № 5. — С. 18-20. — Бібліогр.: 8 назв. — рос.uk_UA
dc.identifier.issn2225-5818
dc.identifier.urihttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/53252
dc.language.isoruuk_UA
dc.publisherІнститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН Україниuk_UA
dc.relation.ispartofТехнология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.statuspublished earlieruk_UA
dc.subjectТехника и технологии СВЧuk_UA
dc.titleСоздание Т-образного затвора в малошумящих полевых СВЧ-транзисторахuk_UA
dc.title.alternativeСтворення Т-образного затвора у малошумлячих польових НВЧ-транзисторахuk_UA
dc.title.alternativeThe creation of T-shaped gate for low noise field effect UHF transistorsuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Файли

Оригінальний контейнер

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Завантаження...
Ескіз
Назва:
06-Bosyi.pdf
Розмір:
113.02 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format

Контейнер ліцензії

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Завантаження...
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
817 B
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис: