Создание Т-образного затвора в малошумящих полевых СВЧ-транзисторах
dc.contributor.author | Босый, В.И. | |
dc.contributor.author | Коржинский, Ф.И. | |
dc.contributor.author | Семашко, Е.М. | |
dc.contributor.author | Середа, И.В. | |
dc.contributor.author | Середа, Л.Д. | |
dc.contributor.author | Ткаченко, В.В. | |
dc.date.accessioned | 2014-01-18T20:32:38Z | |
dc.date.available | 2014-01-18T20:32:38Z | |
dc.date.issued | 2006 | |
dc.description.abstract | Получены экспериментальные образцы транзисторов с Т-образными затворами высотой 1,1 мкм, длиной нижней части 0,15 мкм и верхней части - 0,8-1,0 мкм. | uk_UA |
dc.description.sponsorship | Статья подготовлена в рамках украинской Государственной программы развития техники и технологий сверхвысоких частот на 2005-2009 годы. | uk_UA |
dc.identifier.citation | Создание Т-образного затвора в малошумящих полевых СВЧ-транзисторах / В.И. Босый, Ф.И. Коржинский, Е.М. Семашко, И.В. Середа, Л.Д. Середа, В.В. Ткаченко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2006. — № 5. — С. 18-20. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. | uk_UA |
dc.identifier.issn | 2225-5818 | |
dc.identifier.uri | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/53252 | |
dc.language.iso | ru | uk_UA |
dc.publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України | uk_UA |
dc.relation.ispartof | Технология и конструирование в электронной аппаратуре | |
dc.status | published earlier | uk_UA |
dc.subject | Техника и технологии СВЧ | uk_UA |
dc.title | Создание Т-образного затвора в малошумящих полевых СВЧ-транзисторах | uk_UA |
dc.title.alternative | Створення Т-образного затвора у малошумлячих польових НВЧ-транзисторах | uk_UA |
dc.title.alternative | The creation of T-shaped gate for low noise field effect UHF transistors | uk_UA |
dc.type | Article | uk_UA |
Файли
Оригінальний контейнер
1 - 1 з 1
Контейнер ліцензії
1 - 1 з 1
Завантаження...
- Назва:
- license.txt
- Розмір:
- 817 B
- Формат:
- Item-specific license agreed upon to submission
- Опис: