Магнитосопротивление нестационарного магнитного туннельного перехода

Abstract

Исследовано туннелирование электронов через нестационарный магнитный туннельный переход в приближении малой амплитуды переменного электрического поля. Изучена зависимость активной и реактивной составляющих высокочастотного туннельного магнитосопротивления перехода от приложенного постоянного напряжения смещения.Досліджено тунелювання електронів крізь нестаціонарний магнітний тунельний перехід у наближенні малої амплітуди змінного електричного поля. Вивчено залежність активної та реактивної складових високочастотного тунельного магнітоопіру переходу від прикладеної постійної напруги зміщення.Tunneling of electrons through a non-stationary magnetic tunnel junction in approximation of small amplitude of alternating electric field has been investigated. Dependences of active and passive parts of a high-frequency electronic current density through a magnetic junction on the frequency and the applied constant bias voltage have been studied.