Вміст легувальної і фонової домішок в монокристалах Si, одержаних методом електронно-променевої безтигельної зонної плавки

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorАсніс, Ю.А.
dc.contributor.authorБаранський, П.І.
dc.contributor.authorБабич, В.М.
dc.contributor.authorПіскун, Н.В.
dc.contributor.authorСтаткевич, І.І.
dc.date.accessioned2017-05-13T20:40:27Z
dc.date.available2017-05-13T20:40:27Z
dc.date.issued2011
dc.description.abstractНаведено дані щодо впливу стерильності вакуумної плавильної камери на вміст легувальної (P) і фонової (O) домішок в монокристалах Si, одержаних методом електронно-променевої безтигельної зонної плавки.uk_UA
dc.description.abstractThe article presents data about the effect of sterility of vacuum melting chamber on the content of the alloying (P) and background (O) impurites in single crystals of Si, obtained by crucibleless electron-beam zone melting.uk_UA
dc.identifier.citationВміст легувальної і фонової домішок в монокристалах Si, одержаних методом електронно-променевої безтигельної зонної плавки / Ю.А. Асніс, П.І. Баранський, В.М. Бабич, Н.В. Піскун, І.І. Статкевич // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2011. — Вип. 46. — С. 57-61. — Бібліогр.: 6 назв. — укр.uk_UA
dc.identifier.issn0233-7577
dc.identifier.udc621.315,592
dc.identifier.urihttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/116697
dc.language.isoukuk_UA
dc.publisherІнститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН Україниuk_UA
dc.relation.ispartofОптоэлектроника и полупроводниковая техника
dc.statuspublished earlieruk_UA
dc.titleВміст легувальної і фонової домішок в монокристалах Si, одержаних методом електронно-променевої безтигельної зонної плавкиuk_UA
dc.title.alternativeContents of doping and background impurities in Si single crystals, obtained by czucibleless electron-beam zone meltinguk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Файли

Оригінальний контейнер

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
07-Asnis.pdf
Розмір:
171.95 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити

Контейнер ліцензії

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
817 B
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Колекція

Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, 2011, вип. 46