Исследование микроэлектронных фотоприемных устройств с искусственным резистором

dc.contributor.authorКорнейчук, В.И.
dc.contributor.authorРогалевич, О.А.
dc.date.accessioned2014-11-09T07:44:08Z
dc.date.available2014-11-09T07:44:08Z
dc.date.issued2003
dc.description.abstractЭкспериментально исследованы фотоприемные устройства импульсных ИК-сигналов на основе кремниевого p—i—n-фотодиода и операционного усилителя, в цепь обратной связи которого включен "искусственный" резистор, обладающий меньшей температурой шума, чем обычный резистор.uk_UA
dc.description.abstractThe photoreception devices (PRD) of pulse infrared signals are experimentally investigated. The PRD contains of siliicon p—i—n-photodiode and operational amplifier. The "artificial" resistor is included in a circuit of feedback operational amplifier and having smaller temperature of noise, than usual resistor.uk_UA
dc.identifier.citationИсследование микроэлектронных фотоприемных устройств с искусственным резистором / В.И. Корнейчук, О.А. Рогалевич // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 2. — С. 54-55. — Бібліогр.: 5 назв. — рос.uk_UA
dc.identifier.issn2225-5818
dc.identifier.urihttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70616
dc.language.isoruuk_UA
dc.publisherІнститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН Україниuk_UA
dc.relation.ispartofТехнология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.statuspublished earlieruk_UA
dc.subjectОптоэлектроникаuk_UA
dc.titleИсследование микроэлектронных фотоприемных устройств с искусственным резисторомuk_UA
dc.title.alternativeResearch microelectronic photoreception of devices with the artificial resistoruk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Файли

Оригінальний контейнер

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Завантаження...
Ескіз
Назва:
16-Korneichuk.pdf
Розмір:
472.71 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format

Контейнер ліцензії

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Завантаження...
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
817 B
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис: