Оптимизация распределения концентрации носителей по толщине эпитаксиальных слоев
dc.contributor.author | Каримов, А.В. | |
dc.contributor.author | Ёдгорова, Д.М. | |
dc.contributor.author | Саидова, Р.А. | |
dc.contributor.author | Гиясова, Ф.А. | |
dc.contributor.author | Хайдаров, Ш.А. | |
dc.date.accessioned | 2014-01-08T22:14:14Z | |
dc.date.available | 2014-01-08T22:14:14Z | |
dc.date.issued | 2007 | |
dc.description.abstract | Модифицировано устройство для жидкостной эпитаксии полупроводниковых соединений типа АIIIВV. Показана возможность управления градиентом концентрации примесей, создающим внутренние электрические поля в фотоприемной и активной областях структур. | uk_UA |
dc.identifier.citation | Оптимизация распределения концентрации носителей по толщине эпитаксиальных слоев / А.В. Каримов, Д.М. Ёдгорова, Р.А. Саидова, Ф.А. Гиясова, Ш.А. Хайдаров // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2007. — № 6. — С. 57-61. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. | uk_UA |
dc.identifier.issn | 2225-5818 | |
dc.identifier.uri | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52896 | |
dc.language.iso | ru | uk_UA |
dc.publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України | uk_UA |
dc.relation.ispartof | Технология и конструирование в электронной аппаратуре | |
dc.status | published earlier | uk_UA |
dc.subject | Технологические процессы и оборудование | uk_UA |
dc.title | Оптимизация распределения концентрации носителей по толщине эпитаксиальных слоев | uk_UA |
dc.title.alternative | Оптимізація розподілення концентрації носіїв по товщиніепітаксійних шарів | uk_UA |
dc.title.alternative | Optimization of the concentration's distribution of the carriers on thickness of epitaxial layers | uk_UA |
dc.type | Article | uk_UA |
Файли
Оригінальний контейнер
1 - 1 з 1
Контейнер ліцензії
1 - 1 з 1
Завантаження...
- Назва:
- license.txt
- Розмір:
- 817 B
- Формат:
- Item-specific license agreed upon to submission
- Опис: