Эффекты нецентральности примесных ионов в икосаэдрическом окружении

Abstract

Рассмотрен многоямный потенциал, соответствующий смещению примесных ионов из центра симметрии в сторону центров граней икосаэдра, вершин додекаэдра и центров гексагональных граней фуллерена. Получено выражение для эффективного гамильтониана, описывающего поведение эндоэдральных комплексов с нецентральными ионами во внешних электрических полях произвольной ориентации. Найдены его собственные значения и рассчитаны интенсивности линии всех возможных переходов между туннельными уровнями — предсказан спектр параэлектрического резонанса. Проанализированы спектры параэлектрического резонанса во внешнем статическом электрическом поле и при его отсутствии (бесполевой резонанс).

Розглянуто многоямний потенціал, що відповідає зміщенню домішкових іонів з центра симетрії в бік центрів граней ікосаедра, верхівок додекаедра та центрів гексагональних граней фулерена. Одержано вираз для ефективного гамільтоніана, який описує поведінку ендоедральних комплексів з нецентральними іонами в зовнішніх електричних полях довільної орієнтації. Знайдено його власні значення та розраховано інтенсивності ліній усіх можливих переходів між тунельними рівнями — передбачено спектр параелектричного резонансу. Проаналізовано спектри параелектричного резонансу в зовнішньому статичному електричному полі і при його відсутності (безпольовий резонанс).

The multi-well potential corresponding to the shitt ot impurity ions from the center of symmetry towards the centers of icosahedron faces the dodecahedron vortices, and the centers of hexagonal faces ot fullerene is considered. An efficient Hamiltonian is derived that can be used to describe the behavior ot endohedral complexes with noncentral ions in applied electric fields of arbitrary orientation Its eigenvalues are obtained and the intensities of lines ot all kinds ot transitions between tunnel levels are calculated — a paraelectric resonance spectrum is predicted. The paraelectric resonance spectra are considered both with and without static electric field applied.