An influence of gamma-irradiation and ²³⁸U fragments on single-crystal silicon properties

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorDovbnya, A.N.
dc.contributor.authorYefimov, V.P.
dc.contributor.authorPugachev, G.D.
dc.contributor.authorDyomin, V.S.
dc.contributor.authorDovbnya, N.A.
dc.contributor.authorGordienko, J.E.
dc.contributor.authorBorodin, B.G.
dc.contributor.authorBabychenko, S.V.
dc.contributor.authorSemenets, T.A.
dc.date.accessioned2015-04-06T15:54:26Z
dc.date.available2015-04-06T15:54:26Z
dc.date.issued2006
dc.description.abstractIn the paper the processes of accumulation of radiation defects, formed by fragments of ²³⁸U nucleus fission, for forming of amorphous phases in the bulk of single-crystal silicon and the influence of the temperature annealing of defects on the properties of disordered structures are investigated.uk_UA
dc.description.abstractИсследуются процессы накопления радиационных дефектов, образованных осколками деления ядер ²³⁸U, для формирования аморфных фаз в объеме монокристаллического кремния и влияния температуры отжига дефектов на свойства разупорядоченных структур.uk_UA
dc.description.abstractДосліджуються процеси накопичення радіаційних дефектів, утворених осколками ділення ядер ²³⁸U, для формування аморфних фаз в об'ємі монокристалічного кремнію та впливу температури віджига дефектів на властивості розупорядкованих структур.uk_UA
dc.identifier.citationAn influence of gamma-irradiation and ²³⁸U fragments on single-crystal silicon properties / A.N. Dovbnya, V.P. Yefimov, G.D. Pugachev, V.S. Dyomin, N.A. Dovbnya, J.E. Gordienko, B.G. Borodin, S.V. Babychenko, T.A. Semenets // Вопросы атомной науки и техники. — 2006. — № 3. — С. 179-181. — Бібліогр.: 4 назв. — англ.uk_UA
dc.identifier.issn1562-6016
dc.identifier.otherPACS: 61.82. Fk
dc.identifier.urihttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/79885
dc.language.isoenuk_UA
dc.publisherНаціональний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН Україниuk_UA
dc.relation.ispartofВопросы атомной науки и техники
dc.statuspublished earlieruk_UA
dc.subjectПрименение ускорителей в радиационных технологияхuk_UA
dc.titleAn influence of gamma-irradiation and ²³⁸U fragments on single-crystal silicon propertiesuk_UA
dc.title.alternativeВоздействие γ-облучения и осколков ядер ²³⁸U на свойства монокристаллического кремнияuk_UA
dc.title.alternativeВплив γ-опромінення та осколків ядер ²³⁸U на властивості монокристалічного кремніюuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Файли

Оригінальний контейнер

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
125-Dovbnya.pdf
Розмір:
170.51 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Опис:
Стаття
Завантажити

Контейнер ліцензії

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
817 B
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Колекція

Вопросы атомной науки и техники, 2006, № 3