Електричні властивості структур In/p-PbTe

Abstract

Досліджено механізми формування бар’єра у контактах In/p-PbTe. Встановлено, що у разі короткотермінової низькотемпературної обробки контактів формується мілкий p–n-перехід унаслідок дифузії індію в приповерхневий шар, який визначає механізми проходження темнового струму. Показано, що в інтервалі температур 77–146 К за напруг зворотного зміщення ≤ 150 мВ домінує генераційно-рекомбінаційний механізм, а за температур 150–220 К – дифузійний. При великих зворотних зміщеннях та азотних температурах реалізується тунельний механізм пробою переходів. Оцінено параметри приконтактного шару і встановлено, що у ньому відбувається компенсація власних дефектів домішкою індію. Отримані результати слід враховувати при виготовленні омічних контактів до p-PbTe.

The mechanisms of the barrier formation in In/p-PbTe contacts are invesigated. It is established that during the short low-temperature processing of contacts the shallow p-n-junction is formed due to diffusion of indium in the undersurface layer which determines the dark current mechanisms. It is shown that in the temperature range 77- 146 K for reverse bias voltages ≤ 150 mV the dark current is dominated by generacionrecombination mechanism, and in the temperature range 150-200 K - by diffusion. For lange reverse bias and liquid nitrogen temperatures the tunnel breakdown is realized. Parameters of a layer which is formed under contact's metal is estimated and it is found that in this layer intrinsic defects are compensated by doped indium. The results obtained in this investigation should be taken into account when making ohmic contacts to p-PbTe.