Pre- and postmelting of cadmium telluride

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorShcherbak, L.P.
dc.contributor.authorFeichouk, P.I.
dc.contributor.authorPlevachouk, Yu.A.
dc.contributor.authorKopach, O.V.
dc.contributor.authorTuryanska, L.T.
dc.date.accessioned2017-06-11T14:09:57Z
dc.date.available2017-06-11T14:09:57Z
dc.date.issued1999
dc.description.abstractA stepwise character of cadmium telluride melting is shown by using differential thermal analysis and conductivity measurements in the 1323 to 1473 K temperature range. According to the results of differential thermal analysis the parameters of CdTe melting are determined by the premelting processes that are related to defect production in crystal lattice. The crystallization processes are controlled with the melt state (structure) that depends on its maximum temperature.uk_UA
dc.identifier.citationPre- and postmelting of cadmium telluride / L.P. Shcherbak, P.I. Feichouk, Yu.A. Plevachouk, O.V. Kopach, L.T. Turyanska // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 1999. — Т. 2, № 4. — С. 76-80. — Бібліогр.: 21 назв. — англ.uk_UA
dc.identifier.issn1560-8034
dc.identifier.otherPACS: 72.20, 72.80.P
dc.identifier.urihttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/120258
dc.language.isoenuk_UA
dc.publisherІнститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН Україниuk_UA
dc.relation.ispartofSemiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
dc.statuspublished earlieruk_UA
dc.titlePre- and postmelting of cadmium tellurideuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Файли

Оригінальний контейнер

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
16-Shcherbak.pdf
Розмір:
207.23 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити

Контейнер ліцензії

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
817 B
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Колекція

Semicond. Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 1999, № 4