Defect formation in CsI-CsBr mixed crystals
dc.contributor.author | Garapyn, I.V. | |
dc.contributor.author | Hud, I.Z. | |
dc.contributor.author | Pavlyk, B.V. | |
dc.date.accessioned | 2018-06-20T05:02:38Z | |
dc.date.available | 2018-06-20T05:02:38Z | |
dc.date.issued | 2005 | |
dc.description.abstract | The defect structure of Csl-CsBr mixed crystals has been studied by electroconductivity and thermostimulated depolarization current (TSDC) methods. The formation of Csl₀.₉₃Br₀.₀₇ solid solution is found to be accompanied by increase of conductivity as compared to that of pure Csl. The physical processes causing the appearаnce of TSDC maxima at 300 К and 385 К have been considered. The results obtained evidence the increase of anion vacancy concentration and unchanged concentration of cation vacancies in Csl₀.₉₃Br₀.₀₇ mixed crystals. | uk_UA |
dc.description.abstract | Дослiджено дефектну структуру змiшаних кристалiв Csl-CsBr методами електропровiдностi та струмiв термостимульованої деполяризацiї (ТСД). Встановлено, що утворення твердого розчину Csl₀.₉₃Br₀.₀₇ супроводжується збiльшенням провiдностi порiвняно з провiднiстю чистого Csl. Проаналiзовано фiзичнi процеси, що спричиняють появу максимумiв ТСД при температурах 300 К та 385 К. Одержанi результати свiдчать про пiдвищення концентрацiї анiонних та незмiнну концентрацiю катiонних вакансiй в змiшаних кристалах Csl₀.₉₃Br₀.₀₇. | uk_UA |
dc.description.abstract | Дефектная структура смешанных кристаллов Csl-CsBr исследована методами электропроводности и токов термостимулированной деполяризации (ТСД). -Установлено, что возникновение твёрдого раствора Csl₀.₉₃Br₀.₀₇ сопровождается увеличением проводимости по сравнению с проводимостью чистого Csl. Проанализированы физические процессы, обусловливающие возникновение максимумов ТСД при температурах 300 К и 385 К. Полученные результаты свидетельствуют о повышении концентрации анионных и неизменной концентрации катионных вакансий в смешанных кристаллах Csl₀.₉₃Br₀.₀₇. | uk_UA |
dc.identifier.citation | Defect formation in CsI-CsBr mixed crystals / I.V. Garapyn, I.Z. Hud, B.V. Pavlyk // Functional Materials. — 2005. — Т. 12, № 4. — С. 735-737. — Бібліогр.: 6 назв. — англ. | uk_UA |
dc.identifier.issn | 1027-5495 | |
dc.identifier.uri | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/139316 | |
dc.language.iso | en | uk_UA |
dc.publisher | НТК «Інститут монокристалів» НАН України | uk_UA |
dc.relation.ispartof | Functional Materials | |
dc.status | published earlier | uk_UA |
dc.title | Defect formation in CsI-CsBr mixed crystals | uk_UA |
dc.title.alternative | Дефектоутворення у змiшаних кристалах Csl-CsBr | uk_UA |
dc.type | Article | uk_UA |
Файли
Оригінальний контейнер
1 - 1 з 1
Завантаження...
- Назва:
- 23-Garapyn.pdf
- Розмір:
- 155.09 KB
- Формат:
- Adobe Portable Document Format
Контейнер ліцензії
1 - 1 з 1
Завантаження...
- Назва:
- license.txt
- Розмір:
- 817 B
- Формат:
- Item-specific license agreed upon to submission
- Опис: