Получение активных слоев InP в составе гетероструктур для диодов Ганна

Abstract

Рассмотрены особенности получения эпитаксиальных слоев InP с высокой подвижностью электронов из расплавов индия, легированного редкоземельными и изовалентными элементами.

Показано, що комплексне легування розплавів індію рідкісноземельним (Yb) та ізовалентним (Al) елементами підвищує ефективність очистки від фонових домішок епітаксійних шарів InP, отриманих рідиннофазною епітаксією, що приводить до збільшення їх структурної досконалості. При оптимальній кількості Yb та Al в розплав концентрація електронів в шарах зменшується, а їх рух ливість зростає. Розроблена технологія може бути вико ристана для виготовлення структур для діодів Ганна, фотоприймачів та інших оптоелектронних приладів.

It is shown that for epitaxial InP layers obtained by liquidphase epitaxy complex dopping of indium melts by optimal concentrations of rare-earth Yb and isovalent element Al promotes useful increase of cleaning effect from background impurities and leads to growth of its structural perfection. The concentration of electrons in InP layers decreases and their mobility increases on optimal amounts of Yb and Al in the melt. This technology may be used in producing structures for Gunn diodes, photoreceivers and other optoelectronic devices.