Фотопровідність кремнію в умовах магнітного впливу

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorМакара, В.А.
dc.contributor.authorСтебленко, Л.П.
dc.contributor.authorПодолян, А.О.
dc.contributor.authorКурилюк, А.М.
dc.contributor.authorКобзар, Ю.Л.
dc.contributor.authorНауменко, С.М.
dc.date.accessioned2010-02-16T16:55:11Z
dc.date.available2010-02-16T16:55:11Z
dc.date.issued2008
dc.description.abstractIt is shown that the action of magnetic fields (MF) of different nature (constant and variable MF and a microwave superhigh-frequency field) changes the relaxation kinetics of photoconductivity (PC) in silicon crystals. For an explanation of the obtained results, the mechanism, according to which differences in the relaxation times of PC are related to structural changes in the surface layer of Si that are stimulated by the magnetic influence, is offered.uk_UA
dc.identifier.citationФотопровідність кремнію в умовах магнітного впливу / В.А. Макара, Л.П. Стебленко, А.О. Подолян, А.М. Курилюк, Ю.Л. Кобзар, С.М. Науменко // Доп. НАН України. — 2008. — № 10. — С. 91-95. — Бібліогр.: 13 назв. — укр.uk_UA
dc.identifier.issn1025-6415
dc.identifier.udc548.4;548.0:539.3.8
dc.identifier.urihttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/6107
dc.language.isoukuk_UA
dc.publisherВидавничий дім "Академперіодика" НАН Україниuk_UA
dc.statuspublished earlieruk_UA
dc.subjectФізикаuk_UA
dc.titleФотопровідність кремнію в умовах магнітного впливуuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Файли

Оригінальний контейнер

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
17-Makara.pdf
Розмір:
126.43 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити

Контейнер ліцензії

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
1.79 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Колекція

Доповіді НАН України, 2008, № 10