Preparation of high-purity charge for growth of Cd₁₋ₓ ZnₓTe crystals
dc.contributor.author | Voronkin, E.F. | |
dc.contributor.author | Atroshchenko, L.V. | |
dc.contributor.author | Galkin, S.N. | |
dc.contributor.author | Lalayants, A.I. | |
dc.contributor.author | Rybalka, I.A. | |
dc.contributor.author | Ryzhikov, V.D. | |
dc.date.accessioned | 2018-06-20T13:57:21Z | |
dc.date.available | 2018-06-20T13:57:21Z | |
dc.date.issued | 2004 | |
dc.description.abstract | Possibilities have been studied to prepare high-purity charge for growth of Cd₁₋ₓ ZnₓTe crystals of high perfection and spectrometric quality. Studies have been carried out of deep purification of Cd, Zn and Te using the installation developed by us, which comprised a rotating container of optical quartz, by distillation and recrystallization. This installation is polyfunctional, allowing distillation, zone purification, recrystallization in horizontal (at a small angle) or vertical direction. It has been shown that horizontal zone purification is efficient for most admixtures, with exception of carbon. For carbon removal from Cd, Zn and Te, a vertical variant of zone purification was additionally used, which allowed reduction in carbon content from 10⁻³ to -10⁻⁶ %. | uk_UA |
dc.description.abstract | Работа посвящена исследованию возможности получения высокочистой шихты для выращивания кристаллов Cd₁₋ₓ ZnₓTe высокого структурного совершенства и спектрометрического качества. Приведены результаты изучения процессов глубокой очистки Cd, Zn и Te при использовании разработанной нами установки с вращающимся контейнером из оптического кварца путем их дистилляции и перекристаллизации. Эта установка является многофункциональной и позволяет проводить дистилляцию, зонную очистку, перекристаллизацию как в горизонтальном (под небольшим углом), так и в вертикальном направлениях. Показано, что горизонтальная зонная очистка является эффективной для большинства примесей, за исключением углерода. Для очистки Cd, Zn и Te от примеси углерода дополнительно использован вертикальный вариант зонной очистки, который позволил снизить содержание углерода с с 10⁻³ до -10⁻⁶ % | uk_UA |
dc.description.abstract | Робота присвячена досліджєнню можливості одержання шихти високої чистоти для вирощування структурно досконалих кристалів Cd₁₋ₓ ZnₓTe спектрометричної якості. Приведено результати вивчення процесів глибокого очищення Cd, Zn та Te при використанні розробленої нами установки з обертовим контейнером із оптичного кварцу шляхом їх дистиляції і перекристалізації. Ця установка є багатофункціональною і дозволяє проводити дистиляцію, зонну очистку, перекристалізацію як у горизонтальному (під невеликим кутом), так і у вертикальному напрямках. Показано, що горизонтальна зонна очистка є ефективною для більшості домішок, за винятком вуглецю. Для очищення Cd, Zn та Te від домішки вуглецю додатково використаний вертикальний варіант зонної очистки, що дозволив знизити вміст вуглецю з 10⁻³ до -10⁻⁶ %. | uk_UA |
dc.identifier.citation | Preparation of high-purity charge for growth of Cd₁₋ₓ ZnₓTe crystals / E.F. Voronkin, L.V. Atroshchenko, S.N. Galkin, A.I. Lalayants, I.A. Rybalka, V.D. Ryzhikov // Functional Materials. — 2004. — Т. 11, № 3. — С. 612-616. — Бібліогр.: 11 назв. — англ. | uk_UA |
dc.identifier.issn | 1027-5495 | |
dc.identifier.uri | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/139486 | |
dc.language.iso | en | uk_UA |
dc.publisher | НТК «Інститут монокристалів» НАН України | uk_UA |
dc.relation.ispartof | Functional Materials | |
dc.status | published earlier | uk_UA |
dc.title | Preparation of high-purity charge for growth of Cd₁₋ₓ ZnₓTe crystals | uk_UA |
dc.title.alternative | Одержання шихти високої чистоти для вирощування кристалів Cd₁₋ₓ ZnₓTe | uk_UA |
dc.type | Article | uk_UA |
Файли
Оригінальний контейнер
1 - 1 з 1
Завантаження...
- Назва:
- 38-Voronkin.pdf
- Розмір:
- 376.17 KB
- Формат:
- Adobe Portable Document Format
Контейнер ліцензії
1 - 1 з 1
Завантаження...
- Назва:
- license.txt
- Розмір:
- 817 B
- Формат:
- Item-specific license agreed upon to submission
- Опис: