Конструктивно-технологические ограничения при проектировании высоковольтных КМОП БИС
dc.contributor.author | Вербицкий, В.Г. | |
dc.contributor.author | Золотаревский, В.И. | |
dc.contributor.author | Николаенко, Ю.Е. | |
dc.contributor.author | Самотовка, Л.И. | |
dc.contributor.author | Товмач, Е.С. | |
dc.date.accessioned | 2014-11-13T19:51:19Z | |
dc.date.available | 2014-11-13T19:51:19Z | |
dc.date.issued | 2002 | |
dc.description.abstract | Рассмотрены некоторые особенности проектирования в части обеспечения правильного функционирования высоковольтных КМОП БИС аналогового ключа с управлением и коммутаторов путем защиты электрической схемы, выполняющей заданное функциональное назначение, как от внутренних (в КМОП БИС), так и от внешних дестабилизирующих факторов. | uk_UA |
dc.description.abstract | Some peculiarities of a design of electrical scheme are considered: in part of a quarantee of correct function of high voltage CMOS LSIC of analog switch with a control and multiplexers by means of a defence of electrical scheme, whiche given functional purpose fulfils. | uk_UA |
dc.identifier.citation | Конструктивно-технологические ограничения при проектировании высоковольтных КМОП БИС / В.Г. Вербицкий, В.И. Золотаревский, Ю.Е. Николаенко, Л.И. Самотовка, Е.С. Товмач // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2002. — № 6. — С. 48-53. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. | uk_UA |
dc.identifier.issn | 2225-5818 | |
dc.identifier.udc | 621.382 (088-8) | |
dc.identifier.uri | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70809 | |
dc.language.iso | ru | uk_UA |
dc.publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України | uk_UA |
dc.relation.ispartof | Технология и конструирование в электронной аппаратуре | |
dc.status | published earlier | uk_UA |
dc.subject | Интегральные схемы и полупроводниковые приборы | uk_UA |
dc.title | Конструктивно-технологические ограничения при проектировании высоковольтных КМОП БИС | uk_UA |
dc.title.alternative | Constructive and technological limitations for a design of high voltage CMOS LSIC | uk_UA |
dc.type | Article | uk_UA |
Файли
Оригінальний контейнер
1 - 1 з 1
Завантаження...
- Назва:
- 14-Verbitsky.pdf
- Розмір:
- 193.42 KB
- Формат:
- Adobe Portable Document Format
Контейнер ліцензії
1 - 1 з 1
Завантаження...
- Назва:
- license.txt
- Розмір:
- 817 B
- Формат:
- Item-specific license agreed upon to submission
- Опис: