New nonlinear model to determine Cgs and Cgd capacities of GaAs MESFET

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorMerabtine, N.
dc.contributor.authorAmourache, S.
dc.contributor.authorSaidi, Y.
dc.contributor.authorZaabat, M.
dc.contributor.authorKenzai, Ch.
dc.date.accessioned2017-05-28T14:36:43Z
dc.date.available2017-05-28T14:36:43Z
dc.date.issued2003
dc.description.abstractNew nonlinear model for simulating physical and geometrical parameters to determine the junctions capacities of "the Gallium Arsenide Metal Semiconductor Field Effect Transistor" GaAs MESFET are represented in this paper. Non linear variations of the bias and gate-source and gate-drain capacities have been found. A simulated values show excellent agreement with experimental results.uk_UA
dc.identifier.citationNew nonlinear model to determine Cgs and Cgd capacities of GaAs MESFET / N. Merabtine, S. Amourache, Y. Saidi, M. Zaabat, Ch. Kenzai // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2003. — Т. 6, № 3. — С. 404-410. — Бібліогр.: 11 назв. — англ.uk_UA
dc.identifier.issn1560-8034
dc.identifier.otherPACS: 85.30.De
dc.identifier.urihttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/118052
dc.language.isoenuk_UA
dc.publisherІнститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН Україниuk_UA
dc.relation.ispartofSemiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
dc.statuspublished earlieruk_UA
dc.titleNew nonlinear model to determine Cgs and Cgd capacities of GaAs MESFETuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Файли

Оригінальний контейнер

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
26-Merabtine.pdf
Розмір:
341.48 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити

Контейнер ліцензії

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
817 B
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Колекція

Semicond. Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2003, № 3