О влиянии дислокационных скоплений на критическую температуру высокотемпературных сверхпроводников

Abstract

Показано, что скопления краевых дислокаций с параллельными векторами Бюргерса в плоскости скольжения могут приводить к существенным локальным изменениям критической температуры Tc в деформированных кристаллах высокотемпературных сверхпроводников вследствие перераспределения свободных носителей тока в полях упругой деформации ионной кристаллической решетки и сильной немонотонной зависимости Tc от концентрации носителей, если линейные размеры дислокационных скоплений значительно превышают длину когерентности и радиус экранирования.

Показано, що скупчення крайових дислокацій з паралельними векторами Бюргерса у площині проковзування можуть призводити до суттєвих локальних змін критичної температури Тс у деформованих кристалах високотемпературних надпровідників внаслідок перерозподілу вільних носіїв струму в полях пружної деформації іонної кристалічної гратки та сильної немонотонно!' залежності Т від концентрації носіїв, якщо лінійні розміри дислокаційних скупчень значно перевищують довжину когерентності та радіус екранування зарядів.

It is shown that arrays of edge dislocations with parallel Burgers vectors in the slip plane can lead to significant local changes in the transition temperature Tc of the deformed crystals of high-temperature superconductors. These changes are due to the redistribution of free charge carriers in the elastic strain fields of the ionic crystal lattice and a strong nonmonotonic dependence of Tc on the concentration of charge carriers if the characteristic length of dislocation arrays is much larger than the coherence length and screening radius.