Особенности фотовольтаического эффекта в многослойных полупроводниках с p-n-p-переходами при неоднородном освещении

Abstract

В работе разработана теория особенностей фотовольтаического эффекта в полупроводниках с р-n-р-переходами при неоднородном освещении. Получено аналитическое выражение для фотонапряжения в р-n-р-структуре и в пленке, генерирующем аномально-большое фотонапряжение при неоднородном освещении из которого в частном случае получаются нормальный и аномальные фотовольтаические эффекты, а также переход аномального фотовольтаического эффекта в нормальный.

У роботі розроблена теорія особливостей фотовольтаїчного ефекту в напівпровідниках з р-n-р- переходами при неоднорідному освітленні. Отримано аналітичний вираз для фотонапруги в р-n-р-структурі та у плівці, що генерує аномально-велику фотонапругу при неоднорідному освітленні з якого в окремому випадку отримують нормальний, аномальні фотовольтаїчні ефекти й перехід аномального фотовольтаїчного ефекту в нормальний.

In the present, work the theory of special qualities of photovoltage with p-n-p-structure with nonsimilar lightning. Has been got analytical expression for the pholtage in p-n-p-structure and on the film, which generalizied anomalous high photo voltage with nonsimilar lightning because of with nonsimilar lightning beceouse uf what the normal, anomalоus photovoltage effect are issied, and the transference from anomalous photovoltage to normal voltage is possible.